Pieza de media luna de grafito recubierta de SiC para horno epitaxial de carburo de silicio

Pieza de media luna de grafito recubierta de SiCEs un componente clave en los procesos de fabricación de semiconductores, especialmente para equipos epitaxiales de SiC. Utilizamos nuestra tecnología patentada para fabricar la pieza de media luna con una pureza extremadamente alta, una buena uniformidad de recubrimiento y una excelente vida útil, además de una alta resistencia química y estabilidad térmica.

Material base: grafito de alta pureza
Requisitos de pureza:Contenido de carbono ≥99,99%, contenido de cenizas ≤5 ppm, para garantizar que no se precipiten impurezas que contaminen la capa epitaxial a altas temperaturas.
Ventajas de rendimiento:
Alta conductividad térmica:La conductividad térmica a temperatura ambiente alcanza los 150 W/(m・K), que está cerca del nivel del cobre y puede transferir calor rápidamente.
Coeficiente de expansión bajo:5×10^-6/℃ (25-1000℃), que coincide con el sustrato de carburo de silicio (4,2×10^-6/℃), reduciendo el agrietamiento del recubrimiento causado por el estrés térmico.
Precisión de procesamiento:Se consigue una tolerancia dimensional de ±0,05 mm mediante mecanizado CNC para garantizar el sellado de la cámara.

Aplicaciones diferenciadas de CVD SiC y CVD TaC

Inspección de calidad

Espesor del recubrimiento: medidor de espesor láser (precisión ±1 um) o análisis transversal SEM.
Resistencia de adhesión: prueba de rayado (carga crítica > 50 N) o prueba ultrasónica (velocidad del sonido > 5000 m/s).
Resistencia a la corrosión: tasa de pérdida de masa (<0,1 mg/cm²・h) probada en atmósfera de HCl (5 vol %, 1600 ℃).