Porézní karbid křemíku SiC keramika

Porézní karbid křemíku SiC keramika
Porézní SiC keramikaje vysoce výkonný keramický materiál s řízenou strukturou pórů, který se vyznačuje ultravysokou čistotou, odolností vůči vysokým teplotám, tepelným šokům a chemickou inertností. Je široce používán v pokročilých oblastech, jako je výroba polovodičů, výroba fotovoltaických křemíkových destiček a epitaxní procesy polovodičů třetí generace (SiC/GaN).

Společnost VET Energy využívá vysoce čistý prášek SiC v kombinaci s pokročilou technologií spékání k dosažení přesné kontroly velikosti pórů (0,05–100 μm), čímž splňuje rozmanité požadavky aplikací na filtraci, difúzi, katalýzu a tepelný management. Je ideální volbou pro polovodičový a fotovoltaický průmysl pro zvýšení výtěžnosti, snížení kontaminace a optimalizaci procesů.

Naše hlavní výhody
✅ Ultra vysoká čistota:
kovové nečistoty <0,5 ppm, splňují normy SEMI, zabraňují kontaminaci destiček;
✅ Odolnost vůči vysokým teplotám (trvalé používání při 1600℃):
vhodné pro vysokoteplotní prostředí, jako je CVD, difuzní pece a tavení křemíku;
✅ Silná odolnost vůči tepelným šokům:
přizpůsobuje se rychlým změnám teploty, čímž se zkracují prostoje zařízení
✅ Chemická inertnost (odolnost vůči kyselinám, zásadám a roztaveným kovům):
odolné vůči korozivním plynům, jako jsou HF a Cl₂, s životností daleko přesahující životnost kovových filtrů;
✅ Kontrolovaná struktura pórů (0,05–100 μm):
podporuje stupňovitou filtraci, čímž se zlepšuje účinnost proudění kapaliny;

Typická aplikace
1. Výroba polovodičů: filtrace plynů CVD/ALD, desky pro distribuci proudění v difuzní peci, úprava odpadních plynů z leptání atd.
2. Fotovoltaický průmysl: Filtrace tavením křemíkového materiálu, masky pro potahování PERC článků atd.
3. Polovodiče třetí generace (SiC/GaN): Předúprava epitaxních destiček.