Cerámica porosa de carburo de silicio SiC

Cerámica porosa de carburo de silicio SiC
Cerámica porosa de SiCé un material cerámico de alto rendemento cunha estrutura de poros controlable, que presenta unha pureza ultraalta, resistencia a altas temperaturas, resistencia a choques térmicos e inercia química. Úsanse amplamente en campos avanzados como a fabricación de semicondutores, a produción de obleas de silicio fotovoltaicas e os procesos epitaxiais de semicondutores de terceira xeración (SiC/GaN).

VET Energy utiliza po de SiC de alta pureza combinado con tecnoloxía avanzada de sinterización para lograr un control preciso do tamaño dos poros (0,05–100 μm), o que cumpre diversos requisitos de aplicación para a filtración, a difusión, a catálise e a xestión térmica. É unha opción ideal para as industrias de semicondutores e fotovoltaicas para mellorar as taxas de rendemento, reducir a contaminación e optimizar os procesos.

As nosas principais vantaxes
✅ Ultrapureza:
Impurezas metálicas <0,5 ppm, conforme cos estándares SEMI, o que evita a contaminación das obleas;
✅ Resistencia a altas temperaturas (uso continuo a 1600 ℃):
axeitado para ambientes de alta temperatura como CVD, fornos de difusión e fusión de silicio;
✅ Alta resistencia aos choques térmicos:
adáptase a cambios rápidos de temperatura, o que reduce o tempo de inactividade dos equipos
✅ Inercia química (resistente a ácidos, álcalis e metais fundidos):
resistentes a gases corrosivos como HF e Cl₂, cunha vida útil moi superior á dos filtros metálicos;
✅ Estrutura de poros controlada (0,05-100 µm):
admite a filtración gradual, mellorando a eficiencia do fluxo de fluídos;

Aplicación típica
1. Fabricación de semicondutores: filtración de gases CVD/ALD, placas de distribución de fluxo en fornos de difusión, tratamento de gases de escape por gravado, etc.
2. Industria fotovoltaica: filtración por fusión de material de silicio, máscaras de revestimento de células PERC, etc.
3. Semicondutores de terceira xeración (SiC/GaN): pretratamento epitaxial de obleas.