Porozni silicijev karbid SiC keramika

Porozni silicijev karbid SiC keramika
Porozna SiC keramikaje visokoučinkoviti keramički materijal s kontroliranom strukturom pora, koji se odlikuje ultra visokom čistoćom, otpornošću na visoke temperature, toplinskim udarima i kemijskom inertnošću. Široko se koristi u naprednim područjima kao što su proizvodnja poluvodiča, proizvodnja fotonaponskih silicijskih pločica i epitaksijalni procesi poluvodiča treće generacije (SiC/GaN).

VET Energy koristi visokočisti SiC prah u kombinaciji s naprednom tehnologijom sinteriranja kako bi se postigla precizna kontrola veličine pora (0,05–100 μm), zadovoljavajući raznolike zahtjeve primjene za filtraciju, difuziju, katalizu i upravljanje toplinom. Idealan je izbor za poluvodičku i fotonaponsku industriju za povećanje prinosa, smanjenje kontaminacije i optimizaciju procesa.

Naše ključne prednosti
✅ Ultra visoka čistoća:
metalne nečistoće <0,5 ppm, u skladu sa SEMI standardima, sprječavajući kontaminaciju pločice;
✅ Otpornost na visoke temperature (kontinuirana upotreba na 1600℃):
pogodno za visokotemperaturne okruženja kao što su CVD, difuzijske peći i topljenje silicija;
✅ Jaka otpornost na toplinske udare:
prilagođava se brzim promjenama temperature, smanjujući vrijeme zastoja opreme
✅ Kemijska inertnost (otpornost na kiseline, lužine i rastaljene metale):
otporan na korozivne plinove poput HF i Cl₂, s vijekom trajanja daleko većim od metalnih filtera;
✅ Kontrolirana struktura pora (0,05-100um):
podržava postupnu filtraciju, poboljšavajući učinkovitost protoka tekućine;

Tipična primjena
1. Proizvodnja poluvodiča: CVD/ALD filtracija plina, ploče za raspodjelu protoka difuzijske peći, obrada ispušnih plinova jetkanjem itd.
2. Fotonaponska industrija: Filtracija taljenjem silicijskog materijala, maske za premazivanje PERC ćelija itd.
3. Poluvodiči treće generacije (SiC/GaN): Epitaksijalna prethodna obrada pločica.