ფოროვანი სილიციუმის კარბიდი SiC კერამიკა

ფოროვანი სილიციუმის კარბიდი SiC კერამიკა
ფოროვანი SiC კერამიკაარის მაღალი ხარისხის კერამიკული მასალა კონტროლირებადი ფორების სტრუქტურით, რომელიც ხასიათდება ულტრამაღალი სისუფთავით, მაღალი ტემპერატურისადმი მდგრადობით, თერმული შოკისადმი მდგრადობით და ქიმიური ინერტულობით. ისინი ფართოდ გამოიყენება ისეთ მოწინავე სფეროებში, როგორიცაა ნახევარგამტარების წარმოება, ფოტოელექტრული სილიციუმის ვაფლის წარმოება და მესამე თაობის ნახევარგამტარების (SiC/GaN) ეპიტაქსიური პროცესები.

VET Energy იყენებს მაღალი სისუფთავის SiC ფხვნილს მოწინავე შედუღების ტექნოლოგიასთან ერთად, რათა მიაღწიოს ფორების ზომის ზუსტ კონტროლს (0.05–100 მკმ), რაც აკმაყოფილებს ფილტრაციის, დიფუზიის, კატალიზისა და თერმული მართვის მრავალფეროვან მოთხოვნებს. ეს არის იდეალური არჩევანი ნახევარგამტარული და ფოტოელექტრული ინდუსტრიებისთვის მოსავლიანობის გაზრდის, დაბინძურების შემცირებისა და პროცესების ოპტიმიზაციის მიზნით.

ჩვენი ძირითადი უპირატესობები
✅ ულტრა მაღალი სისუფთავე:
ლითონის მინარევები <0.5ppm, შეესაბამება SEMI სტანდარტებს, ხელს უშლის ვაფლის დაბინძურებას;
✅ მაღალი ტემპერატურისადმი მდგრადობა (უწყვეტი გამოყენება 1600℃ ტემპერატურაზე):
შესაფერისია მაღალი ტემპერატურის გარემოსთვის, როგორიცაა CVD, დიფუზიური ღუმელები და სილიციუმის დნობა;
✅ მაღალი თერმული დარტყმისადმი მდგრადობა:
ადაპტირდება ტემპერატურის სწრაფ ცვლილებებთან, რაც ამცირებს აღჭურვილობის შეფერხების დროს
✅ ქიმიური ინერტულობა (მჟავების, ტუტეების და გამდნარი ლითონების მიმართ მდგრადი):
მდგრადია კოროზიული აირების, როგორიცაა HF და Cl₂, მომსახურების ვადა გაცილებით აღემატება ლითონის ფილტრებისას;
✅ კონტროლირებადი ფორების სტრუქტურა (0.05-100 მკმ):
ხელს უწყობს გრადუირებულ ფილტრაციას, რაც აუმჯობესებს სითხის ნაკადის ეფექტურობას;

ტიპიური გამოყენება
1. ნახევარგამტარული წარმოება: CVD/ALD გაზის ფილტრაცია, დიფუზიური ღუმელის ნაკადის გამანაწილებელი ფირფიტები, გრავირების გამონაბოლქვი გაზის დამუშავება და ა.შ.
2. ფოტოელექტრული ინდუსტრია: სილიკონის მასალის დნობის ფილტრაცია, PERC უჯრედების საფარის ნიღბები და ა.შ.
3. მესამე თაობის ნახევარგამტარები (SiC/GaN): ვაფლის ეპიტაქსიური წინასწარი დამუშავება.