Poréis Siliziumkarbid SiC Keramik

Poréis Siliziumkarbid SiC Keramik
Poréis SiC Keramikass e performant Keramikmaterial mat enger kontrolléierbarer Porenstruktur, dat sech mat ultra-héijer Rengheet, héijer Temperaturbeständegkeet, Wärmeschockbeständegkeet a chemescher Inertitéit auszeechent. Si gi wäit verbreet a fortgeschrattene Beräicher wéi Hallefleederherstellung, Produktioun vu photovoltaesche Siliziumwaferen an epitaktesch Prozesser fir Hallefleeder vun der drëtter Generatioun (SiC/GaN) agesat.

VET Energy benotzt héichreine SiC-Pulver a Kombinatioun mat fortgeschrattener Sintertechnologie fir eng präzis Kontroll vun der Porengréisst (0,05–100 μm) z'erreechen, wat verschidden Uwendungsufuerderunge fir Filtratioun, Diffusioun, Katalyse a Wärmemanagement erfëllt. Et ass eng ideal Wiel fir d'Halbleiter- a Photovoltaikindustrie fir d'Ausbezungsquote ze erhéijen, Kontaminatioun ze reduzéieren an d'Prozesser ze optimiséieren.

Eis Kärvirdeeler
✅ Ultrahéich Rengheet:
Metallonreinheeten <0,5 ppm, konform mat SEMI-Standarden, verhënnert Waferkontaminatioun;
✅ Héich Temperaturbeständegkeet (kontinuéierlech Benotzung bei 1600 ℃):
gëeegent fir Héichtemperaturëmfeld wéi CVD, Diffusiounsuewen a Siliziumschmëlzung;
✅ Staark Widderstandsfäegkeet géint Wärmeschock:
adaptéiert sech un séier Temperaturännerungen, reduzéiert d'Ausfallzäit vun der Ausrüstung
✅ Chemesch Inertitéit (resistent géint Säuren, Alkalien a geschmollte Metaller):
resistent géint korrosiv Gaser wéi HF a Cl₂, mat enger Liewensdauer déi déi vu Metallfilter wäit iwwerschreit;
✅ Kontrolléiert Porenstruktur (0,05-100µm):
ënnerstëtzt graduell Filtratioun, wat d'Effizienz vun der Flëssegkeetsfloss verbessert;

Typesch Uwendung
1. Hallefleiterherstellung: CVD/ALD-Gasfiltratioun, Diffusiounsuewen-Stroumverdeelungsplacken, Ätzen vun Ofgasbehandlung, etc.
2. Photovoltaikindustrie: Schmelzfiltratioun vu Siliziummaterial, PERC-Zellbeschichtungsmasken, etc.
3. Hallefleiter vun der drëtter Generatioun (SiC/GaN): Epitaktesch Virbehandlung vu Waferen.