Poorne ränikarbiidist SiC-keraamika

Poorne ränikarbiidist SiC-keraamika
Poorne SiC-keraamikaon kõrgjõudlusega keraamiline materjal, millel on kontrollitav pooride struktuur, mida iseloomustab ülikõrge puhtusaste, kõrge temperatuurikindlus, termiline löögikindlus ja keemiline inerts. Neid kasutatakse laialdaselt edasijõudnud valdkondades, nagu pooljuhtide tootmine, fotogalvaaniliste räniplaatide tootmine ja kolmanda põlvkonna pooljuhtide (SiC/GaN) epitaksiaalsed protsessid.

VET Energy kasutab täpse poorisuuruse (0,05–100 μm) kontrolli saavutamiseks ülipuhast SiC-pulbrit koos täiustatud paagutamistehnoloogiaga, mis vastab mitmesugustele filtreerimise, difusiooni, katalüüsi ja termilise haldamise rakenduste nõuetele. See on ideaalne valik pooljuhtide ja fotogalvaanika tööstusele saagikuse suurendamiseks, saastumise vähendamiseks ja protsesside optimeerimiseks.

Meie peamised eelised
✅ Ülikõrge puhtusastmega:
metalli lisandid <0,5 ppm, vastavad SEMI standarditele, hoides ära kiipide saastumise;
✅ Kõrge temperatuuritaluvus (pidev kasutamine temperatuuril 1600 ℃):
sobib kõrge temperatuuriga keskkondadesse, näiteks CVD-sse, difusioonahjudesse ja räni sulatamisse;
✅ Tugev termilise löögi vastupidavus:
kohaneb kiirete temperatuurimuutustega, vähendades seadmete seisakuid
✅ Keemiline inerts (vastupidav hapetele, leelistele ja sulametallidele):
vastupidav söövitavatele gaasidele nagu HF ja Cl₂, mille eluiga ületab oluliselt metallfiltrite eluiga;
✅ Kontrollitud pooride struktuur (0,05–100 μm):
toetab astmelist filtreerimist, parandades vedeliku voolu efektiivsust;

Tüüpiline rakendus
1. Pooljuhtide tootmine: CVD/ALD gaasi filtreerimine, difusioonahju voolu jaotusplaadid, söövitusheitgaaside töötlemine jne.
2. Fotogalvaaniline tööstus: ränimaterjali sulav filtreerimine, PERC-rakkude katmismaskid jne.
3. Kolmanda põlvkonna pooljuhid (SiC/GaN): vahvlite epitaksiaalne eeltöötlus.