छिद्रपूर्ण सिलिकन कार्बाइड SiC सिरेमिक

छिद्रपूर्ण सिलिकन कार्बाइड SiC सिरेमिक
छिद्रपूर्ण SiC सिरेमिकयो एक उच्च-प्रदर्शन सिरेमिक सामग्री हो जसमा नियन्त्रणयोग्य छिद्र संरचना हुन्छ, जसमा अति-उच्च शुद्धता, उच्च-तापमान प्रतिरोध, थर्मल झटका प्रतिरोध, र रासायनिक जडत्व हुन्छ। तिनीहरू अर्धचालक निर्माण, फोटोभोल्टिक सिलिकन वेफर उत्पादन, र तेस्रो-पुस्ता अर्धचालक (SiC/GaN) एपिटेक्सियल प्रक्रियाहरू जस्ता उन्नत क्षेत्रहरूमा व्यापक रूपमा प्रयोग गरिन्छ।

VET इनर्जीले उच्च-शुद्धता SiC पाउडरलाई उन्नत सिन्टरिङ प्रविधिसँग मिलाएर सटीक छिद्र आकार नियन्त्रण (०.०५–१००μm) प्राप्त गर्दछ, जसले गर्दा निस्पंदन, प्रसार, उत्प्रेरक र थर्मल व्यवस्थापनको लागि विविध अनुप्रयोग आवश्यकताहरू पूरा हुन्छन्। यो अर्धचालक र फोटोभोल्टिक उद्योगहरूको लागि उत्पादन दर बढाउन, प्रदूषण कम गर्न र प्रक्रियाहरूलाई अनुकूलन गर्न एक आदर्श विकल्प हो।

हाम्रा मुख्य फाइदाहरू
✅ अति उच्च शुद्धता:
धातुको अशुद्धता <0.5ppm, SEMI मापदण्डहरू अनुरूप, वेफर प्रदूषण रोक्न;
✅ उच्च तापक्रम प्रतिरोध (१६०० ℃ मा निरन्तर प्रयोग):
CVD, प्रसार भट्टी, र सिलिकन गलाउने जस्ता उच्च तापक्रम वातावरणको लागि उपयुक्त;
✅ बलियो थर्मल झट्का प्रतिरोध:
द्रुत तापक्रम परिवर्तनहरूमा अनुकूलन हुन्छ, उपकरणको डाउनटाइम घटाउँछ
✅ रासायनिक जडत्व (एसिड, क्षार र पग्लिएका धातुहरूको प्रतिरोधी):
HF र Cl₂ जस्ता संक्षारक ग्याँसहरूको प्रतिरोधी, धातु फिल्टरहरूको भन्दा धेरै आयुको साथ;
✅ नियन्त्रित छिद्र संरचना (०.०५-१००um):
ग्रेडेड फिल्ट्रेसनलाई समर्थन गर्दछ, तरल पदार्थ प्रवाह दक्षता सुधार गर्दछ;

सामान्य अनुप्रयोग
१. अर्धचालक उत्पादन: CVD/ALD ग्यास निस्पंदन, प्रसार भट्टी प्रवाह वितरण प्लेटहरू, इचिंग निकास ग्यास उपचार, आदि।
२. फोटोभोल्टिक उद्योग: सिलिकन सामग्री पग्लने निस्पंदन, PERC सेल कोटिंग मास्क, आदि।
३. तेस्रो-पुस्ता अर्धचालकहरू (SiC/GaN): वेफर एपिटेक्सियल पूर्व-उपचार।