Пористий карбід кремнію SiC керамічний

Пористий карбід кремнію SiC керамічний
Пориста SiC кераміка– це високоефективний керамічний матеріал з контрольованою пористою структурою, що характеризується надвисокою чистотою, стійкістю до високих температур, термостійкістю та хімічною інертністю. Він широко використовується в передових галузях, таких як виробництво напівпровідників, виробництво фотоелектричних кремнієвих пластин та епітаксіальні процеси напівпровідників третього покоління (SiC/GaN).

VET Energy використовує високочистий порошок SiC у поєднанні з передовою технологією спікання для досягнення точного контролю розміру пор (0,05–100 мкм), що відповідає різноманітним вимогам до фільтрації, дифузії, каталізу та терморегуляції. Це ідеальний вибір для напівпровідникової та фотоелектричної промисловості для підвищення вихідної якості, зменшення забруднення та оптимізації процесів.

Наші основні переваги
✅ Надзвичайно висока чистота:
домішки металів <0,5 ppm, що відповідає стандартам SEMI, запобігає забрудненню пластин;
✅ Стійкість до високих температур (безперервне використання при 1600℃):
підходить для високотемпературних середовищ, таких як CVD, дифузійні печі та виплавка кремнію;
✅ Висока стійкість до термічних ударів:
адаптується до швидких змін температури, зменшуючи час простою обладнання
✅ Хімічна інертність (стійкість до кислот, лугів та розплавлених металів):
стійкий до агресивних газів, таких як HF та Cl₂, з терміном служби, що значно перевищує термін служби металевих фільтрів;
✅ Контрольована структура пор (0,05-100 мкм):
підтримує ступеневу фільтрацію, покращуючи ефективність потоку рідини;

Типове застосування
1. Виробництво напівпровідників: фільтрація газів CVD/ALD, розподільчі пластини потоку в дифузійній печі, обробка відпрацьованих газів травленням тощо.
2. Фотоелектрична промисловість: фільтрація плавленням кремнієвих матеріалів, маски для покриття PERC-елементів тощо.
3. Напівпровідники третього покоління (SiC/GaN): епітаксіальна попередня обробка пластин.