Qeramikë SiC e karabit të silikonit poroz

Qeramikë SiC e karabit të silikonit poroz
Qeramikë SiC porozeështë një material qeramik me performancë të lartë me një strukturë poresh të kontrollueshme, që karakterizohet nga pastërti ultra të lartë, rezistencë ndaj temperaturave të larta, rezistencë ndaj goditjeve termike dhe inerci kimike. Ato përdoren gjerësisht në fusha të përparuara si prodhimi i gjysmëpërçuesve, prodhimi i pllakave të silikonit fotovoltaik dhe proceset epitaksiale të gjysmëpërçuesve të gjeneratës së tretë (SiC/GaN).

VET Energy përdor pluhur SiC me pastërti të lartë të kombinuar me teknologji të përparuar të sinterimit për të arritur kontroll të saktë të madhësisë së poreve (0.05–100μm), duke përmbushur kërkesa të ndryshme aplikimi për filtrim, difuzion, katalizë dhe menaxhim termik. Është një zgjedhje ideale për industritë e gjysmëpërçuesve dhe fotovoltaikëve për të rritur normat e rendimentit, për të zvogëluar ndotjen dhe për të optimizuar proceset.

Përparësitë tona kryesore
✅ Pastërti ultra e lartë:
papastërtitë metalike <0.5ppm, në përputhje me standardet SEMI, duke parandaluar ndotjen e pllakave;
✅ Rezistencë ndaj temperaturave të larta (përdorim i vazhdueshëm në 1600℃):
i përshtatshëm për mjedise me temperaturë të lartë siç janë CVD, furrat e difuzionit dhe shkrirja e silikonit;
✅ Rezistencë e fortë ndaj goditjeve termike:
përshtatet me ndryshimet e shpejta të temperaturës, duke zvogëluar kohën e ndërprerjes së pajisjeve
✅ Inertitet kimik (rezistent ndaj acideve, alkaleve dhe metaleve të shkrirë):
rezistent ndaj gazrave gërryes si HF dhe Cl₂, me një jetëgjatësi që tejkalon shumë atë të filtrave metalikë;
✅ Strukturë e kontrolluar e poreve (0.05-100um):
mbështet filtrimin e graduar, duke përmirësuar efikasitetin e rrjedhjes së lëngjeve;

Aplikimi tipik
1. Prodhimi i gjysmëpërçuesve: Filtrimi i gazit CVD/ALD, pllakat e shpërndarjes së rrjedhës së furrës së difuzionit, trajtimi i gazrave të shkarkimit me gdhendje, etj.
2. Industria fotovoltaike: Filtrimi i shkrirjes së materialeve të silikonit, maskat e veshjes së qelizave PERC, etj.
3. Gjysmëpërçuesit e Gjeneratës së Tretë (SiC/GaN): Para-trajtim epitaksial i pllakave.