Porous kísillkarbíð SiC keramik

Porous kísillkarbíð SiC keramik
Porous SiC keramiker afkastamikið keramikefni með stýranlegri porubyggingu, sem einkennist af afar miklum hreinleika, háum hitaþoli, hitaáfallsþoli og efnaóvirkni. Það er mikið notað á háþróuðum sviðum eins og framleiðslu hálfleiðara, framleiðslu á sólarljósum kísilplötum og þriðju kynslóðar hálfleiðara (SiC/GaN) epitaxialferlum.

VET Energy notar hágæða SiC duft ásamt háþróaðri sintunartækni til að ná nákvæmri stjórn á porastærð (0,05–100μm) og uppfyllir fjölbreyttar kröfur um síun, dreifingu, hvötun og hitastjórnun. Það er kjörinn kostur fyrir hálfleiðara- og sólarorkuiðnaðinn til að auka afköst, draga úr mengun og hámarka ferla.

Helstu kostir okkar
✅ Mjög mikil hreinleiki:
Óhreinindi úr málmi <0,5 ppm, í samræmi við SEMI staðla, koma í veg fyrir mengun á skífum;
✅ Háhitaþol (stöðug notkun við 1600℃):
hentugur fyrir umhverfi með miklum hita eins og CVD, dreifingarofna og kísilbræðslu;
✅ Sterk hitaáfallsþol:
aðlagast hröðum hitastigsbreytingum og dregur úr niðurtíma búnaðar
✅ Efnafræðileg óvirkni (þolir sýrur, basa og bráðna málma):
ónæm fyrir ætandi lofttegundum eins og HF og Cl₂, með líftíma sem er mun lengri en málmsíur;
✅ Stýrð svitaholabygging (0,05-100µm):
styður stigvaxandi síun, sem bætir skilvirkni vökvaflæðis;

Dæmigert notkunarsvið
1. Framleiðsla hálfleiðara: CVD/ALD gassíun, dreifingarplötur fyrir dreifingarofna, etsun á útblásturslofttegundum o.s.frv.
2. Ljósvirkjunariðnaður: Síun með bræðslu sílikonefnis, PERC frumuhúðunargrímur o.s.frv.
3. Þriðju kynslóðar hálfleiðarar (SiC/GaN): Forvinnsla á epitaxial skífum.