Ceirmeag SiC Silicon Carbide porous

Ceirmeag SiC Silicon Carbide porous
Ceirmeag SiC porous'S e stuth ceirmeag àrd-choileanaidh a th' ann an SiC le structar pore a ghabhas smachdachadh, le purrachd fìor àrd, strì an aghaidh teòthachd àrd, strì an aghaidh clisgeadh teirmeach, agus neo-ghnìomhachd cheimigeach. Tha iad air an cleachdadh gu farsaing ann an raointean adhartach leithid saothrachadh leth-chonnsachaidh, cinneasachadh uaifearan silicon photovoltaic, agus pròiseasan epitaxial leth-chonnsachaidh treas ginealach (SiC/GaN).

Bidh VET Energy a’ cleachdadh pùdar SiC àrd-ghlanachd còmhla ri teicneòlas shintearachd adhartach gus smachd mionaideach fhaighinn air meud nam pores (0.05–100μm), a’ coinneachadh ri riatanasan tagraidh eadar-mheasgte airson sìoladh, sgaoileadh, cataladh, agus riaghladh teirmeach. Tha e na roghainn air leth freagarrach airson gnìomhachasan leth-chonnsachaidh agus photovoltaic gus ìrean toraidh a leasachadh, truailleadh a lughdachadh, agus pròiseasan a bharrachadh.

Na Prìomh Bhuannachdan againn
✅ Glanachd fìor àrd:
neo-chunbhalachdan meatailt <0.5ppm, a rèir inbhean SEMI, a’ cur casg air truailleadh wafer;
✅ Seasmhachd teòthachd àrd (cleachdadh leantainneach aig 1600 ℃):
freagarrach airson àrainneachdan teòthachd àrd leithid CVD, àmhainnean sgaoilidh, agus leaghadh silicon;
✅ Seasmhachd làidir an aghaidh clisgeadh teirmeach:
ag atharrachadh gu atharrachaidhean teòthachd luath, a’ lughdachadh ùine downt uidheamachd
✅ Neo-ghnìomhachd cheimigeach (a tha an aghaidh searbhagan, alcalan, agus meatailtean leaghte):
a tha an aghaidh gasaichean creimneach leithid HF agus Cl₂, le fad-beatha fada nas fhaide na fad-beatha sìoltachain meatailt;
✅ Structar pore fo smachd (0.05-100um):
a’ toirt taic do shìoladh ìreichte, a’ leasachadh èifeachdas sruthadh lionn;

Tagradh Àbhaisteach
1. Saothrachadh leth-sheoltairean: sìoladh gas CVD/ALD, pleitean cuairteachaidh sruthadh àmhainn sgaoilidh, làimhseachadh gas sgapaidh is gràbhaladh, msaa.
2. Gnìomhachas photovoltaic: sìoladh leaghaidh stuth silicon, masgaichean còmhdach cealla PERC, msaa.
3. Leth-sheoladairean an Treas Ginealach (SiC/GaN): Ro-làimhseachadh epitaxial wafer.