Pora Silicia Karbido SiC Ceramika

Pora Silicia Karbido SiC Ceramika
Pora SiC Ceramikaestas alt-efikeca ceramika materialo kun kontrolebla porstrukturo, kiu prezentas ultra-altan purecon, alt-temperaturan reziston, varmoŝokan reziston kaj kemian inertecon. Ili estas vaste uzataj en progresintaj kampoj kiel semikonduktaĵa fabrikado, fotovoltaika silicia oblato-produktado kaj triageneraciaj semikonduktaĵaj (SiC/GaN) epitaksiaj procezoj.

VET Energy uzas altpurecan SiC-pulvoron kombinitan kun altnivela sinteriga teknologio por atingi precizan kontrolon de porgrandeco (0,05–100 μm), plenumante diversajn aplikajn postulojn por filtrado, difuzo, katalizo kaj termika administrado. Ĝi estas ideala elekto por la duonkonduktaĵaj kaj fotovoltaikaj industrioj por plibonigi rendimentajn tarifojn, redukti poluadon kaj optimumigi procezojn.

Niaj Kernaj Avantaĝoj
✅ Ultra-alta pureco:
metalaj malpuraĵoj <0.5ppm, konformaj al SEMI-normoj, malhelpante poluadon de oblatoj;
✅ Rezisto al alta temperaturo (kontinua uzo je 1600℃):
taŭga por alttemperaturaj medioj kiel ekzemple CVD, difuzaj fornoj kaj siliciofandado;
✅ Forta rezisto al termika ŝoko:
adaptiĝas al rapidaj temperaturŝanĝoj, reduktante ekipaĵan malfunkcitempon
✅ Kemia inerteco (rezistema al acidoj, alkaloj kaj fanditaj metaloj):
rezistema al korodaj gasoj kiel HF kaj Cl₂, kun vivdaŭro multe superanta tiun de metalaj filtriloj;
✅ Kontrolita porstrukturo (0,05-100 µm):
subtenas gradigitan filtradon, plibonigante la efikecon de fluida fluo;

Tipa Apliko
1. Fabrikado de duonkonduktaĵoj: CVD/ALD-gasfiltrado, difuzfornaj fluodistribuaj platoj, gravurado de ellasgasa traktado, ktp.
2. Fotovoltaika Industrio: Filtrado de fandado de silicia materialo, PERC-ĉelaj tegaĵaj maskoj, ktp.
3. Triageneraciaj Duonkonduktaĵoj (SiC/GaN): Antaŭtraktado de epitaksiaj surplatoj.