Ceramica porosa di carburo di siliciu SiC

Ceramica porosa di carburo di siliciu SiC
Ceramica porosa di SiChè un materiale ceramicu d'altu rendimentu cù una struttura di pori cuntrullata, chì presenta una purezza ultra-alta, resistenza à alta temperatura, resistenza à i shock termichi è inerzia chimica. Sò largamente usati in campi avanzati cum'è a fabricazione di semiconduttori, a produzzione di wafer di siliciu fotovoltaichi è i prucessi epitassiali di semiconduttori di terza generazione (SiC/GaN).

VET Energy utilizza polvere di SiC di alta purezza cumminata cù una tecnulugia di sinterizzazione avanzata per ottene un cuntrollu precisu di a dimensione di i pori (0,05-100 μm), rispondendu à diverse esigenze di applicazione per a filtrazione, a diffusione, a catalisi è a gestione termica. Hè una scelta ideale per l'industrie di i semiconduttori è di u fotovoltaicu per migliurà i tassi di rendimentu, riduce a contaminazione è ottimizà i prucessi.

I nostri principali vantaghji
✅ Ultra-altissima purezza:
Impurità metalliche <0,5 ppm, cunforme à i standard SEMI, chì impediscenu a contaminazione di e wafer;
✅ Resistenza à alta temperatura (usu cuntinuu à 1600 ℃):
adatta per ambienti à alta temperatura cum'è CVD, forni di diffusione è fusione di siliciu;
✅ Forte resistenza à i shock termichi:
s'adatta à i cambiamenti rapidi di temperatura, riducendu i tempi di inattività di l'apparecchiatura
✅ Inerzia chimica (resistente à l'acidi, à l'alcali è à i metalli fusi):
resistente à i gasi currusivi cum'è HF è Cl₂, cù una durata di vita chì supera di gran lunga quella di i filtri metallichi;
✅ Struttura di pori cuntrullata (0,05-100 um):
sustene a filtrazione graduata, migliurendu l'efficienza di u flussu di fluidi;

Applicazione tipica
1. Fabbricazione di semiconduttori: filtrazione di gas CVD/ALD, piastre di distribuzione di flussu di fornu di diffusione, trattamentu di gas di scaricu per incisione, ecc.
2. Industria fotovoltaica: Filtrazione di fusione di materiale di silicone, maschere di rivestimentu di cellule PERC, ecc.
3. Semiconduttori di terza generazione (SiC/GaN): Pretrattamentu epitassiale di wafer.