Porös kiselkarbid SiC-keramik

Porös kiselkarbid SiC-keramik
Porös SiC-keramikär ett högpresterande keramiskt material med en kontrollerbar porstruktur, med ultrahög renhet, hög temperaturbeständighet, termisk chockbeständighet och kemisk inertitet. De används ofta inom avancerade områden som halvledartillverkning, produktion av solcellsskivor och epitaxiella processer för tredje generationens halvledare (SiC/GaN).

VET Energy använder högrent SiC-pulver i kombination med avancerad sintringsteknik för att uppnå exakt porstorlekskontroll (0,05–100 μm) och uppfylla olika applikationskrav för filtrering, diffusion, katalys och värmehantering. Det är ett idealiskt val för halvledar- och solcellsindustrin för att öka utbytet, minska kontaminering och optimera processer.

Våra kärnfördelar
✅ Ultrahög renhet:
metallföroreningar <0,5 ppm, uppfyller SEMI-standarder, vilket förhindrar kontaminering av wafers;
✅ Hög temperaturbeständighet (kontinuerlig användning vid 1600 ℃):
lämplig för högtemperaturmiljöer såsom CVD, diffusionsugnar och kiselsmältning;
✅ Stark motståndskraft mot termisk chock:
anpassar sig till snabba temperaturförändringar, vilket minskar stilleståndstiden för utrustningen
✅ Kemisk inertitet (resistent mot syror, alkalier och smälta metaller):
resistent mot korrosiva gaser som HF och Cl₂, med en livslängd som vida överstiger metallfilters;
✅ Kontrollerad porstruktur (0,05-100µm):
stöder graderad filtrering, vilket förbättrar vätskeflödets effektivitet;

Typisk tillämpning
1. Halvledartillverkning: CVD/ALD-gasfiltrering, flödesfördelningsplattor i diffusionsugnar, etsning av avgasbehandling etc.
2. Fotovoltaisk industri: Smältfiltrering av kiselmaterial, PERC-cellbeläggningsmasker etc.
3. Tredje generationens halvledare (SiC/GaN): Epitaxiell förbehandling av wafers.