छिद्रयुक्त सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) सिरेमिक

छिद्रयुक्त सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) सिरेमिक
छिद्रयुक्त SiC सिरेमिकयह एक उच्च-प्रदर्शन वाला सिरेमिक पदार्थ है जिसकी छिद्र संरचना को नियंत्रित किया जा सकता है, और इसमें अति-शुद्धता, उच्च तापमान प्रतिरोध, तापीय आघात प्रतिरोध और रासायनिक निष्क्रियता जैसे गुण होते हैं। इनका व्यापक रूप से उपयोग अर्धचालक निर्माण, फोटोवोल्टिक सिलिकॉन वेफर उत्पादन और तीसरी पीढ़ी के अर्धचालक (SiC/GaN) एपिटैक्सियल प्रक्रियाओं जैसे उन्नत क्षेत्रों में किया जाता है।

VET Energy उच्च शुद्धता वाले SiC पाउडर और उन्नत सिंटरिंग तकनीक का उपयोग करके सटीक छिद्र आकार नियंत्रण (0.05–100 μm) प्राप्त करता है, जो निस्पंदन, प्रसार, उत्प्रेरण और ऊष्मीय प्रबंधन जैसी विभिन्न अनुप्रयोग आवश्यकताओं को पूरा करता है। यह अर्धचालक और फोटोवोल्टिक उद्योगों के लिए उत्पादन दर बढ़ाने, संदूषण कम करने और प्रक्रियाओं को अनुकूलित करने के लिए एक आदर्श विकल्प है।

हमारे मुख्य लाभ
✅ अति उच्च शुद्धता:
धातु की अशुद्धियाँ <0.5ppm, SEMI मानकों के अनुरूप, वेफर संदूषण को रोकती हैं;
✅ उच्च तापमान प्रतिरोध (1600℃ पर निरंतर उपयोग):
सीवीडी, डिफ्यूजन फर्नेस और सिलिकॉन स्मेल्टिंग जैसे उच्च तापमान वाले वातावरण के लिए उपयुक्त;
✅ उच्च तापीय आघात प्रतिरोध:
यह तापमान में तेजी से होने वाले बदलावों के अनुकूल ढल जाता है, जिससे उपकरण के बंद रहने का समय कम हो जाता है।
✅ रासायनिक अक्रियता (अम्लों, क्षारों और पिघली हुई धातुओं के प्रति प्रतिरोधी):
एचएफ और सीएल₂ जैसी संक्षारक गैसों के प्रति प्रतिरोधी, और धातु के फिल्टरों की तुलना में कहीं अधिक जीवनकाल वाला;
✅ नियंत्रित छिद्र संरचना (0.05-100um):
यह श्रेणीबद्ध निस्पंदन का समर्थन करता है, जिससे द्रव प्रवाह दक्षता में सुधार होता है;

विशिष्ट अनुप्रयोग
1. सेमीकंडक्टर निर्माण: सीवीडी/एएलडी गैस निस्पंदन, विसरण भट्टी प्रवाह वितरण प्लेटें, नक़्क़ाशी निकास गैस उपचार, आदि।
2. फोटोवोल्टाइक उद्योग: सिलिकॉन सामग्री पिघलने का निस्पंदन, पीईआरसी सेल कोटिंग मास्क आदि।
3. तीसरी पीढ़ी के अर्धचालक (SiC/GaN): वेफर एपिटैक्सियल पूर्व-उपचार।