सच्छिद्र सिलिकॉन कार्बाइड SiC सिरॅमिक

सच्छिद्र सिलिकॉन कार्बाइड SiC सिरॅमिक
सच्छिद्र SiC सिरॅमिकहे नियंत्रित करता येण्याजोगी छिद्र रचना असलेले एक उच्च-कार्यक्षम सिरॅमिक मटेरियल आहे, जे अत्यंत उच्च शुद्धता, उच्च-तापमान प्रतिरोध, औष्णिक धक्क्याला प्रतिरोध आणि रासायनिक निष्क्रियता या वैशिष्ट्यांनी युक्त आहे. सेमीकंडक्टर उत्पादन, फोटोव्होल्टेइक सिलिकॉन वेफर उत्पादन आणि तिसऱ्या पिढीच्या सेमीकंडक्टर (SiC/GaN) एपिटॅक्सियल प्रक्रिया यांसारख्या प्रगत क्षेत्रांमध्ये याचा मोठ्या प्रमाणावर वापर केला जातो.

व्हीईटी एनर्जी, उच्च-शुद्धतेच्या SiC पावडरचा वापर प्रगत सिंटरिंग तंत्रज्ञानासह करते, ज्यामुळे छिद्रांच्या आकारावर अचूक नियंत्रण (०.०५–१०० μm) साधता येते. हे गाळण, विसरण, उत्प्रेरण आणि औष्णिक व्यवस्थापन यांसारख्या विविध अनुप्रयोगांच्या गरजा पूर्ण करते. सेमीकंडक्टर आणि फोटोव्होल्टेइक उद्योगांसाठी उत्पादन दर वाढवणे, प्रदूषण कमी करणे आणि प्रक्रिया अनुकूलित करण्यासाठी हा एक आदर्श पर्याय आहे.

आमचे मुख्य फायदे
✅ अत्यंत उच्च शुद्धता:
धातूंची अशुद्धता <0.5ppm, SEMI मानकांनुसार, वेफर दूषित होण्यापासून प्रतिबंधित करते;
✅ उच्च तापमान प्रतिरोध (१६००℃ तापमानात सतत वापर):
सीव्हीडी, डिफ्यूजन फर्नेस आणि सिलिकॉन स्मेल्टिंग यांसारख्या उच्च तापमान असलेल्या वातावरणासाठी योग्य;
✅ तीव्र औष्णिक धक्का प्रतिरोधकता:
तापमानातील जलद बदलांशी जुळवून घेते, ज्यामुळे उपकरणांचा डाउनटाइम कमी होतो.
✅ रासायनिक अक्रियता (आम्ल, अल्कली आणि वितळलेल्या धातूंना प्रतिरोधक):
HF आणि Cl₂ सारख्या क्षरणकारी वायूंना प्रतिरोधक, आणि धातूच्या फिल्टरपेक्षा कित्येक पटीने जास्त आयुर्मान असलेले;
✅ नियंत्रित छिद्र संरचना (०.०५-१०० मायक्रॉन):
श्रेणीबद्ध गाळणीस समर्थन देते, ज्यामुळे द्रव प्रवाहाची कार्यक्षमता सुधारते;

ठराविक अनुप्रयोग
१. सेमीकंडक्टर उत्पादन: सीव्हीडी/एएलडी गॅस फिल्ट्रेशन, डिफ्यूजन फर्नेस फ्लो डिस्ट्रिब्युशन प्लेट्स, एचिंग एक्झॉस्ट गॅस ट्रीटमेंट, इत्यादी.
२. फोटोव्होल्टेइक उद्योग: सिलिकॉन मटेरियल मेल्टिंग फिल्ट्रेशन, PERC सेल कोटिंग मास्क, इत्यादी.
३. तिसऱ्या पिढीचे सेमीकंडक्टर (SiC/GaN): वेफर एपिटॅक्सियल पूर्व-उपचार.