Cerâmica de carbeto de silício poroso SiC

Cerâmica de carbeto de silício poroso SiC
Cerâmica de SiC porosaÉ um material cerâmico de alto desempenho com estrutura de poros controlável, caracterizado por pureza ultra-elevada, resistência a altas temperaturas, resistência ao choque térmico e inércia química. É amplamente utilizado em áreas avançadas como a fabricação de semicondutores, a produção de wafers de silício fotovoltaicos e os processos epitaxiais de semicondutores de terceira geração (SiC/GaN).

A VET Energy utiliza pó de SiC de alta pureza combinado com tecnologia avançada de sinterização para obter um controle preciso do tamanho dos poros (0,05–100 μm), atendendo a diversos requisitos de aplicação em filtração, difusão, catálise e gerenciamento térmico. É uma escolha ideal para as indústrias de semicondutores e fotovoltaica, permitindo aumentar as taxas de rendimento, reduzir a contaminação e otimizar processos.

Nossas principais vantagens
✅ Pureza ultraelevada:
Impurezas metálicas <0,5 ppm, em conformidade com as normas SEMI, prevenindo a contaminação do wafer;
✅ Alta resistência à temperatura (uso contínuo a 1600℃):
Adequado para ambientes de alta temperatura, como CVD, fornos de difusão e fundição de silício;
✅ Alta resistência ao choque térmico:
Adapta-se a mudanças rápidas de temperatura, reduzindo o tempo de inatividade do equipamento.
✅ Inércia química (resistente a ácidos, álcalis e metais fundidos):
resistente a gases corrosivos como HF e Cl₂, com uma vida útil muito superior à dos filtros metálicos;
✅ Estrutura de poros controlada (0,05-100 µm):
Suporta filtração gradual, melhorando a eficiência do fluxo de fluidos;

Aplicação típica
1. Fabricação de semicondutores: filtragem de gás CVD/ALD, placas de distribuição de fluxo em fornos de difusão, tratamento de gases de exaustão de corrosão, etc.
2. Indústria fotovoltaica: Filtração para fusão de material de silício, máscaras de revestimento de células PERC, etc.
3. Semicondutores de terceira geração (SiC/GaN): Pré-tratamento epitaxial do wafer.