Porains silīcija karbīda SiC keramika

Porains silīcija karbīda SiC keramika
Porains SiC keramikair augstas veiktspējas keramikas materiāls ar kontrolējamu poru struktūru, kam raksturīga īpaši augsta tīrības pakāpe, izturība pret augstu temperatūru, termiskā trieciena izturība un ķīmiskā inertums. To plaši izmanto progresīvās jomās, piemēram, pusvadītāju ražošanā, fotoelektrisko silīcija vafeļu ražošanā un trešās paaudzes pusvadītāju (SiC/GaN) epitaksiālajos procesos.

VET Energy izmanto augstas tīrības pakāpes SiC pulveri apvienojumā ar progresīvu sintēšanas tehnoloģiju, lai panāktu precīzu poru izmēra kontroli (0,05–100 μm), atbilstot dažādām lietojumprogrammu prasībām filtrācijas, difūzijas, katalīžu un termiskās pārvaldības jomā. Tā ir ideāla izvēle pusvadītāju un fotoelektrisko elementu nozarēm, lai uzlabotu ražas apjomus, samazinātu piesārņojumu un optimizētu procesus.

Mūsu galvenās priekšrocības
✅ Īpaši augsta tīrība:
metālu piemaisījumi <0,5 ppm, atbilst SEMI standartiem, novēršot vafeļu piesārņojumu;
✅ Augsta temperatūras izturība (nepārtraukta lietošana 1600 ℃ temperatūrā):
piemērots augstas temperatūras vidēm, piemēram, CVD, difūzijas krāsnīm un silīcija kausēšanai;
✅ Spēcīga izturība pret termisko triecienu:
pielāgojas straujām temperatūras izmaiņām, samazinot iekārtu dīkstāves laiku
✅ Ķīmiskā inertitāte (izturīga pret skābēm, sārmiem un izkausētiem metāliem):
izturīgs pret kodīgām gāzēm, piemēram, HF un Cl₂, ar ievērojami ilgāku kalpošanas laiku nekā metāla filtriem;
✅ Kontrolēta poru struktūra (0,05–100 µm):
atbalsta pakāpenisku filtrēšanu, uzlabojot šķidruma plūsmas efektivitāti;

Tipisks pielietojums
1. Pusvadītāju ražošana: CVD/ALD gāzu filtrēšana, difūzijas krāsns plūsmas sadales plāksnes, kodināšanas izplūdes gāzu apstrāde utt.
2. Fotoelektriskā rūpniecība: silīcija materiāla kausēšanas filtrēšana, PERC šūnu pārklājuma maskas utt.
3. Trešās paaudzes pusvadītāji (SiC/GaN): plākšņu epitaksiālā pirmapstrāde.