Кеуектүү кремний карбиди SiC керамикасы

Кеуектүү кремний карбиди SiC керамикасы
Кеуектүү SiC керамикасы- бул өтө жогорку тазалыкка, жогорку температурага туруктуулукка, жылуулук соккуларына туруктуулукка жана химиялык инертүүлүккө ээ болгон, башкарылуучу тешиктүү түзүлүшкө ээ жогорку өндүрүмдүү керамикалык материал. Алар жарым өткөргүчтөрдү өндүрүү, фотоэлектрдик кремний пластиналарын өндүрүү жана үчүнчү муундагы жарым өткөргүчтөрдү (SiC/GaN) эпитаксиалдык процесстер сыяктуу өнүккөн тармактарда кеңири колдонулат.

VET Energy компаниясы тешикчелердин өлчөмүн так көзөмөлдөөгө (0,05–100 мкм) жетүү үчүн жогорку тазалыктагы SiC порошогун өнүккөн бышыруу технологиясы менен айкалыштырып, чыпкалоо, диффузия, катализ жана жылуулукту башкаруу боюнча ар кандай колдонуу талаптарын канааттандырат. Бул жарым өткөргүч жана фотоэлектрдик өнөр жайлар үчүн түшүмдүүлүктү жогорулатуу, булганууну азайтуу жана процесстерди оптималдаштыруу үчүн идеалдуу тандоо.

Биздин негизги артыкчылыктарыбыз
✅ Өтө жогорку тазалык:
металл кошулмалары <0,5ppm, SEMI стандарттарына жооп берет, пластинанын булганышынын алдын алат;
✅ Жогорку температурага туруктуулук (1600℃ температурада үзгүлтүксүз колдонуу):
CVD, диффузиялык мештер жана кремний эритүү сыяктуу жогорку температуралуу чөйрөлөргө ылайыктуу;
✅ Термикалык соккуларга күчтүү туруктуулук:
температуранын кескин өзгөрүшүнө ыңгайлашат, бул жабдуулардын иштебей калуу убактысын азайтат
✅ Химиялык инерттүүлүк (кислоталарга, щелочторго жана эриген металлдарга туруктуу):
HF жана Cl₂ сыяктуу коррозиялык газдарга туруктуу, металл чыпкалардын кызмат мөөнөтүн бир топ узартат;
✅ Көзөмөлдөнгөн тешикчелердин түзүлүшү (0.05-100 мкм):
суюктук агымынын натыйжалуулугун жогорулатуу менен, деңгээлдүү чыпкалоого колдоо көрсөтөт;

Типтүү колдонуу
1. Жарым өткөргүчтөрдү өндүрүү: CVD/ALD газын чыпкалоо, диффузиялык мештин агымын бөлүштүрүүчү плиталар, чыгуучу газды тазалоо ж.б.
2. Фотоэлектрдик өнөр жай: Кремний материалын эритүү үчүн чыпкалоо, PERC клетка каптоочу маскалар ж.б.
3. Үчүнчү муундагы жарым өткөргүчтөр (SiC/GaN): Пластиналык эпитаксиалдык алдын ала иштетүү.