Ceramica porosa di carburo di silicio SiC

Ceramica porosa di carburo di silicio SiC
Ceramica porosa SiCSi tratta di un materiale ceramico ad alte prestazioni con una struttura porosa controllabile, caratterizzato da elevatissima purezza, resistenza alle alte temperature, resistenza agli shock termici e inerzia chimica. Trova ampio impiego in settori avanzati come la produzione di semiconduttori, la produzione di wafer di silicio fotovoltaici e i processi epitassiali di semiconduttori di terza generazione (SiC/GaN).

VET Energy utilizza polvere di SiC ad elevata purezza combinata con una tecnologia di sinterizzazione avanzata per ottenere un controllo preciso della dimensione dei pori (0,05–100 μm), soddisfacendo diverse esigenze applicative per filtrazione, diffusione, catalisi e gestione termica. Rappresenta la scelta ideale per le industrie dei semiconduttori e del fotovoltaico per migliorare i tassi di rendimento, ridurre la contaminazione e ottimizzare i processi.

I nostri principali vantaggi
✅ Purezza elevatissima:
impurità metalliche <0,5 ppm, conformi agli standard SEMI, che prevengono la contaminazione dei wafer;
✅ Resistenza alle alte temperature (uso continuo a 1600℃):
Adatto ad ambienti ad alta temperatura come quelli di CVD, forni a diffusione e fusione del silicio;
✅ Elevata resistenza agli shock termici:
si adatta ai rapidi cambiamenti di temperatura, riducendo i tempi di inattività delle apparecchiature.
✅ Inerzia chimica (resistente ad acidi, alcali e metalli fusi):
Resistente ai gas corrosivi come HF e Cl₂, con una durata di vita di gran lunga superiore a quella dei filtri metallici;
✅ Struttura dei pori controllata (0,05-100 µm):
supporta la filtrazione graduale, migliorando l'efficienza del flusso dei fluidi;

Applicazione tipica
1. Produzione di semiconduttori: filtrazione del gas CVD/ALD, piastre di distribuzione del flusso del forno a diffusione, trattamento dei gas di scarico dell'incisione, ecc.
2. Industria fotovoltaica: filtrazione del materiale di fusione del silicio, maschere di rivestimento per celle PERC, ecc.
3. Semiconduttori di terza generazione (SiC/GaN): pretrattamento epitassiale del wafer.