Cerameg Silicon Carbide Mandyllog SiC

Cerameg Silicon Carbide Mandyllog SiC
Cerameg SiC mandyllogyn ddeunydd ceramig perfformiad uchel gyda strwythur mandwll rheoladwy, sy'n cynnwys purdeb uwch-uchel, ymwrthedd i dymheredd uchel, ymwrthedd i sioc thermol, ac anadweithioldeb cemegol. Fe'u defnyddir yn helaeth mewn meysydd uwch fel gweithgynhyrchu lled-ddargludyddion, cynhyrchu wafferi silicon ffotofoltäig, a phrosesau epitacsial lled-ddargludyddion trydydd cenhedlaeth (SiC/GaN).

Mae VET Energy yn defnyddio powdr SiC purdeb uchel ynghyd â thechnoleg sinteru uwch i gyflawni rheolaeth maint mandwll manwl gywir (0.05–100μm), gan fodloni gofynion amrywiol ar gyfer hidlo, trylediad, catalysis, a rheoli thermol. Mae'n ddewis delfrydol ar gyfer y diwydiannau lled-ddargludyddion a ffotofoltäig i wella cyfraddau cynnyrch, lleihau halogiad, ac optimeiddio prosesau.

Ein Manteision Craidd
✅ Purdeb uwch-uchel:
amhureddau metel <0.5ppm, yn cydymffurfio â safonau SEMI, gan atal halogiad wafer;
✅ Gwrthiant tymheredd uchel (defnydd parhaus ar 1600 ℃):
addas ar gyfer amgylcheddau tymheredd uchel fel CVD, ffwrneisi trylediad, a thoddi silicon;
✅ Gwrthiant sioc thermol cryf:
yn addasu i newidiadau tymheredd cyflym, gan leihau amser segur offer
✅ Anadweithiolrwydd cemegol (yn gwrthsefyll asidau, alcalïau a metelau tawdd):
yn gallu gwrthsefyll nwyon cyrydol fel HF a Cl₂, gyda hyd oes sy'n llawer hirach na hyd oes hidlwyr metel;
✅ Strwythur mandwll rheoledig (0.05-100um):
yn cefnogi hidlo graddol, gan wella effeithlonrwydd llif hylif;

Cymhwysiad Nodweddiadol
1. Gweithgynhyrchu Lled-ddargludyddion: hidlo nwy CVD/ALD, platiau dosbarthu llif ffwrnais trylediad, trin nwy gwacáu ysgythru, ac ati.
2. Diwydiant Ffotofoltäig: Hidlo toddi deunydd silicon, masgiau cotio celloedd PERC, ac ati.
3. Lled-ddargludyddion Trydydd Genhedlaeth (SiC/GaN): Rhag-driniaeth epitacsial wafer.