多孔質炭化ケイ素（SiC）セラミック

多孔質炭化ケイ素（SiC）セラミック
多孔質SiCセラミックは、制御可能な細孔構造を持つ高性能セラミック材料であり、超高純度、耐高温性、耐熱衝撃性、および化学的不活性を特徴としています。半導体製造、太陽光発電用シリコンウェハー製造、第三世代半導体（SiC/GaN）エピタキシャルプロセスなどの先端分野で幅広く使用されています。

VET Energyは、高純度SiC粉末と高度な焼結技術を組み合わせることで、精密な細孔径制御（0.05～100μm）を実現し、ろ過、拡散、触媒作用、熱管理など、多様な用途に対応します。半導体および太陽光発電業界において、歩留まりの向上、汚染の低減、プロセスの最適化を実現する理想的な選択肢です。

当社の主要な強み
✅ 超高純度：
金属不純物含有量0.5ppm未満、SEMI規格に準拠し、ウェハーの汚染を防止。
✅ 高温耐性（1600℃での連続使用）：
CVD、拡散炉、シリコン製錬などの高温環境に適しています。
✅ 優れた耐熱衝撃性：
急激な温度変化に適応し、機器のダウンタイムを削減します。
✅ 化学的不活性（酸、アルカリ、溶融金属に対する耐性）：
HFやCl₂などの腐食性ガスに対する耐性があり、金属フィルターをはるかに凌駕する寿命を持つ。
✅ 制御された細孔構造（0.05～100μm）：
段階的なろ過をサポートし、流体の流れ効率を向上させます。

代表的な用途
1. 半導体製造：CVD/ALDガスろ過、拡散炉流量分配プレート、エッチング排ガス処理など
2. 太陽光発電産業：シリコン材料の溶融ろ過、PERCセルコーティングマスクなど
3. 第三世代半導体（SiC/GaN）：ウェーハエピタキシャル前処理。