పోరస్ సిలికాన్ కార్బైడ్ SiC సిరామిక్

పోరస్ సిలికాన్ కార్బైడ్ SiC సిరామిక్
పోరస్ SiC సిరామిక్ఇది నియంత్రించదగిన రంధ్రాల నిర్మాణం కలిగిన ఒక అధిక-పనితీరు గల సిరామిక్ పదార్థం. ఇది అత్యధిక స్వచ్ఛత, అధిక ఉష్ణోగ్రత నిరోధకత, ఉష్ణఘాత నిరోధకత మరియు రసాయన జడత్వాన్ని కలిగి ఉంటుంది. వీటిని సెమీకండక్టర్ తయారీ, ఫోటోవోల్టాయిక్ సిలికాన్ వేఫర్ ఉత్పత్తి మరియు మూడవ తరం సెమీకండక్టర్ (SiC/GaN) ఎపిటాక్సియల్ ప్రక్రియలు వంటి అధునాతన రంగాలలో విస్తృతంగా ఉపయోగిస్తారు.

ఫిల్ట్రేషన్, డిఫ్యూజన్, కెటాలసిస్ మరియు థర్మల్ మేనేజ్‌మెంట్ వంటి విభిన్న అప్లికేషన్ అవసరాలను తీర్చడానికి, VET ఎనర్జీ అధిక-స్వచ్ఛత గల SiC పౌడర్‌ను అధునాతన సింటరింగ్ టెక్నాలజీతో కలిపి, ఖచ్చితమైన పోర్ సైజ్ నియంత్రణను (0.05–100 μm) ఉపయోగిస్తుంది. సెమీకండక్టర్ మరియు ఫోటోవోల్టాయిక్ పరిశ్రమలలో దిగుబడి రేట్లను పెంచడానికి, కాలుష్యాన్ని తగ్గించడానికి మరియు ప్రక్రియలను ఆప్టిమైజ్ చేయడానికి ఇది ఒక ఆదర్శవంతమైన ఎంపిక.

మా ప్రధాన ప్రయోజనాలు
✅ అత్యధిక స్వచ్ఛత:
లోహ మలినాలు <0.5ppm, SEMI ప్రమాణాలకు అనుగుణంగా, వేఫర్ కాలుష్యాన్ని నివారిస్తుంది;
✅ అధిక ఉష్ణోగ్రత నిరోధకత (1600℃ వద్ద నిరంతర ఉపయోగం):
CVD, డిఫ్యూజన్ ఫర్నేసులు మరియు సిలికాన్ స్మెల్టింగ్ వంటి అధిక ఉష్ణోగ్రత వాతావరణాలకు అనువైనది;
✅ అధిక ఉష్ణఘాత నిరోధకత:
వేగవంతమైన ఉష్ణోగ్రత మార్పులకు అనుగుణంగా సర్దుబాటు చేసుకుంటూ, పరికరాల పని నిలిచిపోయే సమయాన్ని తగ్గిస్తుంది.
✅ రసాయన జడత్వం (ఆమ్లాలు, క్షారాలు మరియు ద్రవ లోహాలకు నిరోధకత):
HF మరియు Cl₂ వంటి క్షయకారక వాయువులను తట్టుకోగలదు, మరియు దీని జీవితకాలం లోహ ఫిల్టర్ల కంటే చాలా ఎక్కువ;
✅ నియంత్రిత రంధ్ర నిర్మాణం (0.05-100um):
క్రమబద్ధమైన వడపోతకు మద్దతు ఇస్తుంది, ద్రవ ప్రవాహ సామర్థ్యాన్ని మెరుగుపరుస్తుంది;

సాధారణ అప్లికేషన్
1. సెమీకండక్టర్ తయారీ: CVD/ALD గ్యాస్ ఫిల్ట్రేషన్, డిఫ్యూజన్ ఫర్నేస్ ఫ్లో డిస్ట్రిబ్యూషన్ ప్లేట్లు, ఎచింగ్ ఎగ్జాస్ట్ గ్యాస్ ట్రీట్‌మెంట్, మొదలైనవి.
2. ఫోటోవోల్టాయిక్ పరిశ్రమ: సిలికాన్ పదార్థం కరిగించి వడపోత, PERC సెల్ కోటింగ్ మాస్క్‌లు మొదలైనవి.
3. మూడవ తరం సెమీకండక్టర్లు (SiC/GaN): వేఫర్ ఎపిటాక్సియల్ ప్రీ-ట్రీట్‌మెంట్.