പോറസ് സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് SiC സെറാമിക്

പോറസ് സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് SiC സെറാമിക്
പോറസ് SiC സെറാമിക്നിയന്ത്രിക്കാവുന്ന സുഷിര ഘടനയുള്ള ഉയർന്ന പ്രകടനമുള്ള സെറാമിക് മെറ്റീരിയലാണ്, അൾട്രാ-ഹൈ പ്യൂരിറ്റി, ഉയർന്ന താപനില പ്രതിരോധം, താപ ആഘാത പ്രതിരോധം, രാസ നിഷ്ക്രിയത്വം എന്നിവ ഇതിൽ ഉൾപ്പെടുന്നു. അർദ്ധചാലക നിർമ്മാണം, ഫോട്ടോവോൾട്ടെയ്ക് സിലിക്കൺ വേഫർ ഉത്പാദനം, മൂന്നാം തലമുറ അർദ്ധചാലക (SiC/GaN) എപ്പിറ്റാക്സിയൽ പ്രക്രിയകൾ തുടങ്ങിയ നൂതന മേഖലകളിൽ ഇവ വ്യാപകമായി ഉപയോഗിക്കുന്നു.

VET എനർജി, ഫിൽട്രേഷൻ, ഡിഫ്യൂഷൻ, കാറ്റാലിസിസ്, തെർമൽ മാനേജ്മെന്റ് എന്നിവയ്‌ക്കായുള്ള വൈവിധ്യമാർന്ന ആപ്ലിക്കേഷൻ ആവശ്യകതകൾ നിറവേറ്റുന്നതിനായി, കൃത്യമായ സുഷിര വലുപ്പ നിയന്ത്രണം (0.05–100μm) നേടുന്നതിന്, നൂതന സിന്ററിംഗ് സാങ്കേതികവിദ്യയുമായി സംയോജിപ്പിച്ച് ഉയർന്ന പരിശുദ്ധിയുള്ള SiC പൊടി ഉപയോഗിക്കുന്നു. അർദ്ധചാലക, ഫോട്ടോവോൾട്ടെയ്ക് വ്യവസായങ്ങൾക്ക് വിളവ് നിരക്ക് വർദ്ധിപ്പിക്കുന്നതിനും, മലിനീകരണം കുറയ്ക്കുന്നതിനും, പ്രക്രിയകൾ ഒപ്റ്റിമൈസ് ചെയ്യുന്നതിനും ഇത് ഒരു മികച്ച തിരഞ്ഞെടുപ്പാണ്.

ഞങ്ങളുടെ പ്രധാന നേട്ടങ്ങൾ
✅ അൾട്രാ-ഹൈ പ്യൂരിറ്റി:
ലോഹ മാലിന്യങ്ങൾ <0.5ppm, SEMI മാനദണ്ഡങ്ങൾ പാലിക്കുന്നു, വേഫർ മലിനീകരണം തടയുന്നു;
✅ ഉയർന്ന താപനില പ്രതിരോധം (1600℃-ൽ തുടർച്ചയായ ഉപയോഗം):
സിവിഡി, ഡിഫ്യൂഷൻ ഫർണസുകൾ, സിലിക്കൺ സ്മെൽറ്റിംഗ് തുടങ്ങിയ ഉയർന്ന താപനിലയുള്ള പരിതസ്ഥിതികൾക്ക് അനുയോജ്യം;
✅ ശക്തമായ താപ ആഘാത പ്രതിരോധം:
വേഗത്തിലുള്ള താപനില വ്യതിയാനങ്ങളുമായി പൊരുത്തപ്പെടുന്നു, ഉപകരണങ്ങളുടെ പ്രവർത്തനരഹിതമായ സമയം കുറയ്ക്കുന്നു
✅ രാസ നിഷ്ക്രിയത്വം (ആസിഡുകൾ, ക്ഷാരങ്ങൾ, ഉരുകിയ ലോഹങ്ങൾ എന്നിവയെ പ്രതിരോധിക്കും):
HF, Cl₂ പോലുള്ള നാശകാരികളായ വാതകങ്ങളെ പ്രതിരോധിക്കും, ആയുസ്സ് ലോഹ ഫിൽട്ടറുകളേക്കാൾ വളരെ കൂടുതലാണ്;
✅ നിയന്ത്രിത സുഷിര ഘടന (0.05-100um):
ഗ്രേഡഡ് ഫിൽട്രേഷൻ പിന്തുണയ്ക്കുന്നു, ദ്രാവക പ്രവാഹ കാര്യക്ഷമത മെച്ചപ്പെടുത്തുന്നു;

സാധാരണ ആപ്ലിക്കേഷൻ
1. സെമികണ്ടക്ടർ നിർമ്മാണം: CVD/ALD ഗ്യാസ് ഫിൽട്രേഷൻ, ഡിഫ്യൂഷൻ ഫർണസ് ഫ്ലോ ഡിസ്ട്രിബ്യൂഷൻ പ്ലേറ്റുകൾ, എച്ചിംഗ് എക്‌സ്‌ഹോസ്റ്റ് ഗ്യാസ് ട്രീറ്റ്‌മെന്റ് മുതലായവ.
2. ഫോട്ടോവോൾട്ടെയ്ക് വ്യവസായം: സിലിക്കൺ മെറ്റീരിയൽ മെൽറ്റിംഗ് ഫിൽട്രേഷൻ, PERC സെൽ കോട്ടിംഗ് മാസ്കുകൾ മുതലായവ.
3. മൂന്നാം തലമുറ സെമികണ്ടക്ടറുകൾ (SiC/GaN): വേഫർ എപ്പിറ്റാക്സിയൽ പ്രീ-ട്രീറ്റ്മെന്റ്.