פּאָרעז סיליקאָן קאַרבייד SiC קעראַמיק

פּאָרעז סיליקאָן קאַרבייד SiC קעראַמיק
פּאָרעז SiC קעראַמיקאיז אַ הויך-פאָרשטעלונג קעראַמיש מאַטעריאַל מיט אַ קאָנטראָלירבאַר פּאָרע סטרוקטור, מיט אַולטראַ-הויך ריינקייט, הויך-טעמפּעראַטור קעגנשטעל, טערמאַל קלאַפּ קעגנשטעל, און כעמישער אינערטקייט. זיי ווערן וויידלי געניצט אין אַוואַנסירטע פעלדער ווי האַלב-קאָנדוקטאָר מאַנופאַקטורינג, פאָטאָוואָלטאַיק סיליקאָן וועיפער פּראָדוקציע, און דריט-דור האַלב-קאָנדוקטאָר (SiC/GaN) עפּיטאַקסיאַל פּראַסעסאַז.

VET ענערגיע ניצט הויך-ריינקייט SiC פּודער צוזאַמען מיט אַוואַנסירטע סינטערינג טעכנאָלאָגיע צו דערגרייכן פּינקטלעכע קאָנטראָל פון די פּאָרע גרייס (0.05–100μm), וואָס טרעפט פֿאַרשידענע אַפּליקאַציע רעקווייערמענץ פֿאַר פֿילטראַציע, דיפוזיע, קאַטאַליז און טערמישע פאַרוואַלטונג. עס איז אַן אידעאַלע ברירה פֿאַר די האַלב-קאָנדוקטאָר און פאָטאָוואָלטאַיק אינדוסטריעס צו פֿאַרבעסערן די פּראָדוקציע ראַטעס, רעדוצירן קאָנטאַמינאַציע און אָפּטימיזירן פּראָצעסן.

אונדזערע הויפּט מעלות
✅ אולטרא-הויך ריינקייט:
מעטאַל אומריינקייטן <0.5ppm, אין לויט מיט SEMI סטאַנדאַרדס, פאַרהיטנדיק ווייפער קאַנטאַמאַניישאַן;
✅ הויך טעמפּעראַטור קעגנשטעל (קאָנטיניואַס נוצן ביי 1600 ℃):
פּאַסיק פֿאַר הויך טעמפּעראַטור סביבות אַזאַ ווי CVD, דיפוזיע אויוון, און סיליקאָן שמעלץ;
✅ שטאַרקע טערמישע קלאַפּ קעגנשטעל:
אַדאַפּטירט זיך צו שנעלע טעמפּעראַטור ענדערונגען, רידוסינג עקוויפּמענט דאַונטיים
✅ כעמישע אינערטקייט (קעגנשטעליק צו זויערן, אַלקאַליס און געשמאָלצענע מעטאַלן):
קעגנשטעליק צו קאראזיווע גאזן ווי HF און Cl₂, מיט א לעבנס-צייט וואס איז פיל לענגער ווי די פון מעטאל פילטערס;
✅ קאָנטראָלירטע פּאָרע סטרוקטור (0.05-100µm):
שטיצט גראַדירטע פֿילטראַציע, פֿאַרבעסערנדיק פֿליסיקייט־פֿלוס־עפֿעקטיווקייט;

טיפּישע אַפּליקאַציע
1. האַלבקאָנדוקטאָר פאַבריקאַציע: CVD/ALD גאַז פֿילטראַציע, דיפיוזשאַן אויוון לויפן פאַרשפּרייטונג פּלאַטעס, עטשינג אויסגאַנג גאַז באַהאַנדלונג, עטק.
2. פאָטאָוואָלטאַיק אינדוסטריע: סיליקאָן מאַטעריאַל צעשמעלצן פֿילטראַציע, PERC צעל קאָוטינג מאַסקס, עטק.
3. דריטע-דור האַלבקאָנדוקטאָרן (SiC/GaN): וועיפער עפּיטאַקסיאַל פאַר-באַהאַנדלונג.