Ceràmica porosa de carbur de silici SiC

Ceràmica porosa de carbur de silici SiC
Ceràmica porosa de SiCés un material ceràmic d'alt rendiment amb una estructura de porus controlable, que presenta una puresa ultraalta, resistència a altes temperatures, resistència al xoc tèrmic i inertícia química. S'utilitzen àmpliament en camps avançats com la fabricació de semiconductors, la producció de oblies de silici fotovoltaiques i els processos epitaxials de semiconductors de tercera generació (SiC/GaN).

VET Energy utilitza pols de SiC d'alta puresa combinada amb tecnologia de sinterització avançada per aconseguir un control precís de la mida dels porus (0,05–100 μm), satisfent diversos requisits d'aplicació per a la filtració, la difusió, la catàlisi i la gestió tèrmica. És una opció ideal per a les indústries dels semiconductors i la fotovoltaica per millorar les taxes de rendiment, reduir la contaminació i optimitzar els processos.

Els nostres principals avantatges
✅ Puresa ultraalta:
Impureses metàl·liques <0,5 ppm, conforme amb els estàndards SEMI, que eviten la contaminació de les oblies;
✅ Resistència a altes temperatures (ús continu a 1600 ℃):
adequat per a entorns d'alta temperatura com ara CVD, forns de difusió i fosa de silici;
✅ Forta resistència als xocs tèrmics:
s'adapta als canvis ràpids de temperatura, reduint el temps d'inactivitat dels equips
✅ Inertisme químic (resistent a àcids, àlcalis i metalls fosos):
resistents a gasos corrosius com HF i Cl₂, amb una vida útil molt superior a la dels filtres metàl·lics;
✅ Estructura de porus controlada (0,05-100 µm):
admet la filtració gradual, millorant l'eficiència del flux de fluids;

Aplicació típica
1. Fabricació de semiconductors: filtració de gasos CVD/ALD, plaques de distribució de flux de forn de difusió, tractament de gasos d'escapament per gravat, etc.
2. Indústria fotovoltaica: filtració per fusió de material de silici, màscares de recobriment de cel·les PERC, etc.
3. Semiconductors de tercera generació (SiC/GaN): Pretractament epitaxial de làmines.