Ծակոտկեն սիլիցիումի կարբիդ SiC կերամիկա

Ծակոտկեն սիլիցիումի կարբիդ SiC կերամիկա
Ծակոտկեն SiC կերամիկաբարձր արդյունավետությամբ կերամիկական նյութ է՝ կառավարելի ծակոտկեն կառուցվածքով, որը բնութագրվում է գերբարձր մաքրությամբ, բարձր ջերմաստիճանային դիմադրությամբ, ջերմային ցնցումների դիմադրությամբ և քիմիական իներտությամբ: Դրանք լայնորեն կիրառվում են առաջադեմ ոլորտներում, ինչպիսիք են կիսահաղորդիչների արտադրությունը, ֆոտովոլտային սիլիցիումային վաֆլերի արտադրությունը և երրորդ սերնդի կիսահաղորդչային (SiC/GaN) էպիտաքսիալ գործընթացները:

VET Energy-ն օգտագործում է բարձր մաքրության SiC փոշի՝ զուգակցված առաջադեմ սինտերացման տեխնոլոգիայի հետ՝ ծակոտիների չափի ճշգրիտ վերահսկման (0.05–100 մկմ) հասնելու համար, որը բավարարում է ֆիլտրացիայի, դիֆուզիայի, կատալիզի և ջերմային կառավարման բազմազան կիրառման պահանջները: Այն իդեալական ընտրություն է կիսահաղորդչային և ֆոտովոլտային արդյունաբերությունների համար՝ արտադրողականության բարձրացման, աղտոտվածության նվազեցման և գործընթացների օպտիմալացման համար:

Մեր հիմնական առավելությունները
✅ Գերբարձր մաքրություն։
մետաղական խառնուրդներ <0.5ppm, համապատասխանում է SEMI ստանդարտներին, կանխում է վաֆլիի աղտոտումը։
✅ Բարձր ջերմաստիճանային դիմադրություն (շարունակական օգտագործում 1600℃ ջերմաստիճանում):
հարմար է բարձր ջերմաստիճանի միջավայրերի համար, ինչպիսիք են CVD-ն, դիֆուզիոն վառարանները և սիլիցիումի հալեցումը։
✅ Բարձր ջերմային հարվածային դիմադրություն։
հարմարվում է ջերմաստիճանի արագ փոփոխություններին, կրճատելով սարքավորումների անսարքության ժամանակը
✅ Քիմիական իներտություն (դիմացկուն է թթուների, ալկալիների և հալված մետաղների նկատմամբ):
դիմացկուն է կոռոզիոն գազերի, ինչպիսիք են HF-ը և Cl₂-ը, և ունի մետաղական ֆիլտրերի կյանքի տևողություն, որը զգալիորեն գերազանցում է դրանց օգտագործման ժամկետը։
✅ Կարգավորվող ծակոտիների կառուցվածք (0.05-100 մկմ):
նպաստում է աստիճանական ֆիլտրացիային՝ բարելավելով հեղուկի հոսքի արդյունավետությունը։

Տիպիկ կիրառություն
1. Կիսահաղորդչային արտադրություն. CVD/ALD գազի ֆիլտրացիա, դիֆուզիոն վառարանի հոսքի բաշխման թիթեղներ, փորագրման արտանետվող գազերի մշակում և այլն:
2. Ֆոտովոլտային արդյունաբերություն. Սիլիկոնային նյութերի հալման ֆիլտրացիա, PERC բջիջների ծածկույթի դիմակներ և այլն:
3. Երրորդ սերնդի կիսահաղորդիչներ (SiC/GaN). Վաֆլի էպիտաքսիալ նախնական մշակում։