Cerámica de carburo de silicio poroso (SiC)

Cerámica de carburo de silicio poroso (SiC)
Cerámica porosa de SiCEs un material cerámico de alto rendimiento con una estructura de poros controlable, que se caracteriza por su altísima pureza, resistencia a altas temperaturas, resistencia al choque térmico e inercia química. Se utiliza ampliamente en campos avanzados como la fabricación de semiconductores, la producción de obleas de silicio fotovoltaico y los procesos epitaxiales de semiconductores de tercera generación (SiC/GaN).

VET Energy utiliza polvo de SiC de alta pureza combinado con tecnología de sinterización avanzada para lograr un control preciso del tamaño de poro (0,05–100 μm), satisfaciendo así diversos requisitos de aplicación en filtración, difusión, catálisis y gestión térmica. Es una opción ideal para las industrias de semiconductores y fotovoltaica, ya que permite aumentar los índices de rendimiento, reducir la contaminación y optimizar los procesos.

Nuestras principales ventajas
✅ Pureza ultra alta:
impurezas metálicas <0,5 ppm, conforme a las normas SEMI, lo que evita la contaminación de las obleas;
✅ Alta resistencia a la temperatura (uso continuo a 1600℃):
Adecuado para entornos de alta temperatura, como los de CVD, hornos de difusión y fundición de silicio;
✅ Fuerte resistencia al choque térmico:
Se adapta a los cambios rápidos de temperatura, reduciendo el tiempo de inactividad del equipo.
✅ Inercia química (resistente a ácidos, álcalis y metales fundidos):
Resistente a gases corrosivos como el HF y el Cl₂, con una vida útil muy superior a la de los filtros metálicos;
✅ Estructura de poros controlada (0,05-100 µm):
Permite la filtración gradual, mejorando la eficiencia del flujo de fluidos;

Aplicación típica
1. Fabricación de semiconductores: filtración de gases CVD/ALD, placas de distribución de flujo para hornos de difusión, tratamiento de gases de escape de grabado, etc.
2. Industria fotovoltaica: Filtración por fusión de material de silicio, máscaras de recubrimiento de células PERC, etc.
3. Semiconductores de tercera generación (SiC/GaN): Pretratamiento epitaxial de la oblea.