Poreus siliciumcarbide (SiC) keramiek

Poreus siliciumcarbide (SiC) keramiek
Poreus SiC-keramiekHet is een hoogwaardig keramisch materiaal met een beheersbare poriënstructuur, dat zich kenmerkt door een ultrahoge zuiverheid, hoge temperatuurbestendigheid, thermische schokbestendigheid en chemische inertheid. Het wordt veelvuldig gebruikt in geavanceerde sectoren zoals de productie van halfgeleiders, de productie van fotovoltaïsche siliciumwafels en epitaxiale processen voor halfgeleiders van de derde generatie (SiC/GaN).

VET Energy maakt gebruik van zeer zuiver SiC-poeder in combinatie met geavanceerde sintertechnologie om een ​​nauwkeurige poriegrootte (0,05–100 μm) te bereiken. Hiermee voldoet het aan uiteenlopende toepassingsvereisten voor filtratie, diffusie, katalyse en thermisch beheer. Het is een ideale keuze voor de halfgeleider- en fotovoltaïsche industrie om de opbrengst te verhogen, verontreiniging te verminderen en processen te optimaliseren.

Onze kernvoordelen
✅ Ultrahoge zuiverheid:
Metaalverontreinigingen <0,5 ppm, conform SEMI-normen, waardoor waferverontreiniging wordt voorkomen;
✅ Bestand tegen hoge temperaturen (continu gebruik bij 1600℃):
geschikt voor omgevingen met hoge temperaturen zoals CVD, diffusieovens en siliciumsmelten;
✅ Sterke thermische schokbestendigheid:
past zich aan snelle temperatuurschommelingen aan, waardoor de uitvaltijd van apparatuur wordt verminderd.
✅ Chemische inertheid (bestand tegen zuren, basen en gesmolten metalen):
bestand tegen corrosieve gassen zoals HF en Cl₂, met een levensduur die die van metalen filters ruimschoots overtreft;
✅ Gecontroleerde poriënstructuur (0,05-100 µm):
ondersteunt gelaagde filtratie, waardoor de efficiëntie van de vloeistofstroom wordt verbeterd;

Typische toepassing
1. Halfgeleiderproductie: CVD/ALD-gasfiltratie, stroomverdeelplaten voor diffusieovens, behandeling van etsrookgassen, enz.
2. Fotovoltaïsche industrie: filtratie van gesmolten siliciummateriaal, coatingmaskers voor PERC-cellen, enz.
3. Halfgeleiders van de derde generatie (SiC/GaN): Epitaxiale voorbehandeling van wafers.