Порест силициев карбид SiC керамика

Порест силициев карбид SiC керамика
Пореста SiC керамикае високоефективен керамичен материал с контролируема пореста структура, характеризиращ се с ултрависока чистота, устойчивост на високи температури, устойчивост на термични удари и химическа инертност. Те се използват широко в напреднали области като производство на полупроводници, производство на фотоволтаични силициеви пластини и епитаксиални процеси за полупроводници от трето поколение (SiC/GaN).

VET Energy използва високочист SiC прах, комбиниран с усъвършенствана технология за синтероване, за да постигне прецизен контрол на размера на порите (0,05–100 μm), отговаряйки на разнообразни изисквания за филтрация, дифузия, катализа и управление на температурата. Това е идеален избор за полупроводниковата и фотоволтаичната промишленост за повишаване на добива, намаляване на замърсяването и оптимизиране на процесите.

Нашите основни предимства
✅ Ултрависока чистота:
метални примеси <0,5 ppm, съответстващи на SEMI стандартите, предотвратяващи замърсяване на пластините;
✅ Устойчивост на висока температура (непрекъсната употреба при 1600℃):
подходящ за високотемпературни среди като CVD, дифузионни пещи и топене на силиций;
✅ Силна устойчивост на термичен шок:
адаптира се към бързи температурни промени, намалявайки времето за престой на оборудването
✅ Химическа инертност (устойчив на киселини, основи и разтопени метали):
устойчиви на корозивни газове като HF и Cl₂, с живот, далеч по-дълъг от този на металните филтри;
✅ Контролирана структура на порите (0.05-100um):
поддържа степенувана филтрация, подобрявайки ефективността на потока на течности;

Типично приложение
1. Производство на полупроводници: CVD/ALD газова филтрация, разпределителни плочи за потока в дифузионна пещ, обработка на отработени газове чрез ецване и др.
2. Фотоволтаична индустрия: Филтрация чрез топене на силициев материал, маски за покритие на PERC клетки и др.
3. Полупроводници от трето поколение (SiC/GaN): Предварителна епитаксиална обработка на пластини.