Porøs silisiumkarbid SiC-keramikk

Porøs silisiumkarbid SiC-keramikk
Porøs SiC-keramikker et høytytende keramisk materiale med en kontrollerbar porestruktur, med ultrahøy renhet, høy temperaturbestandighet, termisk sjokkmotstand og kjemisk inertitet. De er mye brukt i avanserte felt som halvlederproduksjon, produksjon av fotovoltaiske silisiumskiver og epitaksiale prosesser for tredje generasjons halvledere (SiC/GaN).

VET Energy bruker SiC-pulver med høy renhet kombinert med avansert sintringsteknologi for å oppnå presis porestørrelseskontroll (0,05–100 μm), og oppfyller dermed ulike applikasjonskrav for filtrering, diffusjon, katalyse og termisk styring. Det er et ideelt valg for halvleder- og solcelleindustrien for å forbedre utbyttet, redusere forurensning og optimalisere prosesser.

Våre kjernefordeler
✅ Ultrahøy renhet:
metallurenheter <0,5 ppm, i samsvar med SEMI-standarder, og forhindrer waferforurensning;
✅ Høy temperaturbestandighet (kontinuerlig bruk ved 1600 ℃):
egnet for høytemperaturmiljøer som CVD, diffusjonsovner og silisiumsmelting;
✅ Sterk termisk sjokkmotstand:
tilpasser seg raske temperaturendringer, noe som reduserer nedetid på utstyr
✅ Kjemisk inertitet (bestandig mot syrer, alkalier og smeltede metaller):
motstandsdyktig mot korrosive gasser som HF og Cl₂, med en levetid som langt overgår metallfiltre;
✅ Kontrollert porestruktur (0,05–100 µm):
støtter gradert filtrering, noe som forbedrer væskestrømningseffektiviteten;

Typisk bruk
1. Halvlederproduksjon: CVD/ALD-gassfiltrering, diffusjonsovnstrømningsfordelingsplater, etsning av avgassbehandling, etc.
2. Fotovoltaisk industri: Filtrering av smeltende silisiummateriale, PERC-cellebeleggmasker, etc.
3. Tredje generasjons halvledere (SiC/GaN): Forbehandling av waferepitaksial.