Butas na Silikon Carbide SiC Ceramic

Butas na Silikon Carbide SiC Ceramic
Butas-butas na SiC Seramikay isang mataas-na-pagganap na materyal na seramiko na may kontroladong istruktura ng butas, na nagtatampok ng ultra-high purity, resistensya sa mataas na temperatura, resistensya sa thermal shock, at chemical inertness. Malawakang ginagamit ang mga ito sa mga advanced na larangan tulad ng paggawa ng semiconductor, produksyon ng photovoltaic silicon wafer, at mga prosesong epitaxial ng third-generation semiconductor (SiC/GaN).

Gumagamit ang VET Energy ng high-purity SiC powder na sinamahan ng advanced sintering technology upang makamit ang tumpak na pore size control (0.05–100μm), na nakakatugon sa iba't ibang pangangailangan sa aplikasyon para sa filtration, diffusion, catalysis, at thermal management. Ito ay isang mainam na pagpipilian para sa mga industriya ng semiconductor at photovoltaic upang mapahusay ang yield rates, mabawasan ang kontaminasyon, at ma-optimize ang mga proseso.

Ang Aming Pangunahing Kalamangan
✅ Napakataas na kadalisayan:
mga dumi sa metal na <0.5ppm, sumusunod sa mga pamantayan ng SEMI, na pumipigil sa kontaminasyon ng wafer;
✅ Mataas na resistensya sa temperatura (tuloy-tuloy na paggamit sa 1600℃):
angkop para sa mga kapaligirang may mataas na temperatura tulad ng CVD, mga diffusion furnace, at silicon smelting;
✅ Malakas na resistensya sa thermal shock:
umaangkop sa mabilis na pagbabago ng temperatura, na binabawasan ang downtime ng kagamitan
✅ Kemikal na inertness (lumalaban sa mga asido, alkali, at tinunaw na metal):
lumalaban sa mga kinakaing unti-unting gas tulad ng HF at Cl₂, na may habang-buhay na higit pa sa mga metal filter;
✅ Kinokontrol na istruktura ng butas (0.05-100um):
sumusuporta sa graded filtration, na nagpapabuti sa kahusayan ng daloy ng likido;

Karaniwang Aplikasyon
1. Paggawa ng Semiconductor: Pagsasala ng gas na CVD/ALD, mga plato ng distribusyon ng daloy ng diffusion furnace, paggamot ng etching exhaust gas, atbp.
2. Industriya ng Photovoltaic: Pagsala para sa pagtunaw ng materyal na silikon, mga maskara para sa patong ng selula ng PERC, atbp.
3. Mga Ikatlong Henerasyong Semikonduktor (SiC/GaN): Paunang paggamot gamit ang epitaxial na wafer.