Porozni silicijum karbid SiC keramika

Porozni silicijum karbid SiC keramika
Porozna SiC keramikaje visokoperformansni keramički materijal s kontroliranom strukturom pora, koji se odlikuje ultra visokom čistoćom, otpornošću na visoke temperature, otpornosti na termičke udare i hemijskom inertnošću. Široko se koristi u naprednim oblastima kao što su proizvodnja poluprovodnika, proizvodnja fotonaponskih silicijumskih pločica i epitaksijalni procesi poluprovodnika treće generacije (SiC/GaN).

VET Energy koristi visokočisti SiC prah u kombinaciji s naprednom tehnologijom sinterovanja kako bi se postigla precizna kontrola veličine pora (0,05–100 μm), ispunjavajući raznolike zahtjeve primjene za filtraciju, difuziju, katalizu i upravljanje toplinom. Idealan je izbor za poluprovodničku i fotonaponsku industriju za povećanje prinosa, smanjenje kontaminacije i optimizaciju procesa.

Naše ključne prednosti
✅ Ultra visoka čistoća:
metalne nečistoće <0,5 ppm, u skladu sa SEMI standardima, sprečavajući kontaminaciju pločice;
✅ Otpornost na visoke temperature (kontinuirana upotreba na 1600℃):
pogodno za okruženja visokih temperatura kao što su CVD, difuzijske peći i topljenje silicija;
✅ Snažna otpornost na termalne udare:
prilagođava se brzim promjenama temperature, smanjujući vrijeme zastoja opreme
✅ Hemijska inertnost (otporna na kiseline, alkalije i rastopljene metale):
otporan na korozivne gasove poput HF i Cl₂, sa vijekom trajanja daleko dužim od vijeka trajanja metalnih filtera;
✅ Kontrolisana struktura pora (0,05-100um):
podržava stepenastu filtraciju, poboljšavajući efikasnost protoka fluida;

Tipična primjena
1. Proizvodnja poluprovodnika: CVD/ALD filtracija gasa, ploče za distribuciju protoka difuzijske peći, tretman ispušnih gasova nagrizanjem itd.
2. Fotovoltaična industrija: Filtracija topljenjem silicijumskog materijala, maske za premazivanje PERC ćelija itd.
3. Poluprovodnici treće generacije (SiC/GaN): Epitaksijalna prethodna obrada pločica.