Pórovitý karbid kremíka SiC keramika

Pórovitý karbid kremíka SiC keramika
Pórovitá SiC keramikaje vysokovýkonný keramický materiál s kontrolovateľnou štruktúrou pórov, ktorý sa vyznačuje ultra vysokou čistotou, odolnosťou voči vysokým teplotám, tepelným šokom a chemickou inertnosťou. Široko sa používa v pokročilých oblastiach, ako je výroba polovodičov, výroba fotovoltaických kremíkových doštičiek a epitaxné procesy polovodičov tretej generácie (SiC/GaN).

Spoločnosť VET Energy využíva vysoko čistý prášok SiC v kombinácii s pokročilou technológiou spekania na dosiahnutie presnej kontroly veľkosti pórov (0,05 – 100 μm), čím spĺňa rôzne požiadavky aplikácií na filtráciu, difúziu, katalýzu a tepelný manažment. Je ideálnou voľbou pre polovodičový a fotovoltaický priemysel na zvýšenie výťažnosti, zníženie kontaminácie a optimalizáciu procesov.

Naše hlavné výhody
✅ Ultra vysoká čistota:
kovové nečistoty <0,5 ppm, v súlade s normami SEMI, zabraňujú kontaminácii doštičiek;
✅ Odolnosť voči vysokej teplote (nepretržité používanie pri 1600 ℃):
vhodné pre prostredia s vysokou teplotou, ako je CVD, difúzne pece a tavenie kremíka;
✅ Silná odolnosť voči tepelným šokom:
prispôsobuje sa rýchlym zmenám teploty, čím sa skracujú prestoje zariadení
✅ Chemická inertnosť (odolná voči kyselinám, zásadám a roztaveným kovom):
odolné voči korozívnym plynom, ako sú HF a Cl₂, s životnosťou ďaleko presahujúcou životnosť kovových filtrov;
✅ Kontrolovaná štruktúra pórov (0,05 – 100 μm):
podporuje stupňovitú filtráciu, čím sa zlepšuje účinnosť prúdenia tekutín;

Typická aplikácia
1. Výroba polovodičov: filtrácia plynov CVD/ALD, dosky na rozdeľovanie prietoku difúznej pece, úprava odpadových plynov leptaním atď.
2. Fotovoltaický priemysel: filtrácia tavením kremíkového materiálu, masky na poťahovanie PERC článkov atď.
3. Polovodiče tretej generácie (SiC/GaN): Predúprava epitaxných doštičiek.