ছিদ্রযুক্ত সিলিকন কার্বাইড SiC সিরামিক

ছিদ্রযুক্ত সিলিকন কার্বাইড SiC সিরামিক
ছিদ্রযুক্ত SiC সিরামিকএটি একটি উচ্চ-কার্যক্ষমতাসম্পন্ন সিরামিক উপাদান, যার ছিদ্র কাঠামো নিয়ন্ত্রণযোগ্য এবং এর বৈশিষ্ট্য হলো অতি-উচ্চ বিশুদ্ধতা, উচ্চ-তাপমাত্রা প্রতিরোধ ক্ষমতা, তাপীয় অভিঘাত প্রতিরোধ ক্ষমতা এবং রাসায়নিক নিষ্ক্রিয়তা। সেমিকন্ডাক্টর উৎপাদন, ফটোভোল্টাইক সিলিকন ওয়েফার উৎপাদন এবং তৃতীয় প্রজন্মের সেমিকন্ডাক্টর (SiC/GaN) এপিটেক্সিয়াল প্রক্রিয়ার মতো উন্নত ক্ষেত্রগুলিতে এগুলি ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়।

VET এনার্জি উচ্চ-বিশুদ্ধ SiC পাউডার এবং উন্নত সিন্টারিং প্রযুক্তি ব্যবহার করে ছিদ্রের আকারের সুনির্দিষ্ট নিয়ন্ত্রণ (০.০৫–১০০ μm) অর্জন করে, যা পরিস্রাবণ, ব্যাপন, অনুঘটন এবং তাপ ব্যবস্থাপনার মতো বিভিন্ন প্রয়োগের চাহিদা পূরণ করে। উৎপাদন হার বাড়াতে, দূষণ কমাতে এবং প্রক্রিয়াগুলোকে সর্বোত্তম করতে সেমিকন্ডাক্টর ও ফটোভোল্টাইক শিল্পের জন্য এটি একটি আদর্শ পছন্দ।

আমাদের মূল সুবিধাগুলি
✅ অতি উচ্চ বিশুদ্ধতা:
ধাতব অশুদ্ধি <০.৫ পিপিএম, SEMI মানদণ্ডের সাথে সঙ্গতিপূর্ণ, যা ওয়েফার দূষণ প্রতিরোধ করে;
✅ উচ্চ তাপমাত্রা প্রতিরোধ ক্ষমতা (১৬০০℃ তাপমাত্রায় অবিচ্ছিন্ন ব্যবহার):
সিভিডি, ডিফিউশন ফার্নেস এবং সিলিকন গলানোর মতো উচ্চ তাপমাত্রার পরিবেশের জন্য উপযুক্ত;
✅ শক্তিশালী তাপীয় অভিঘাত প্রতিরোধ ক্ষমতা:
দ্রুত তাপমাত্রার পরিবর্তনের সাথে খাপ খাইয়ে নেয়, ফলে যন্ত্রপাতির কার্যবিরতির সময় কমে যায়।
✅ রাসায়নিক নিষ্ক্রিয়তা (অ্যাসিড, ক্ষার এবং গলিত ধাতুর প্রতি প্রতিরোধী):
HF এবং Cl₂-এর মতো ক্ষয়কারী গ্যাসের বিরুদ্ধে প্রতিরোধী, এবং এর আয়ুষ্কাল ধাতব ফিল্টারের চেয়ে অনেক বেশি;
✅ নিয়ন্ত্রিত ছিদ্র কাঠামো (০.০৫-১০০ মাইক্রোমিটার):
স্তরভিত্তিক পরিস্রাবণ সমর্থন করে, যা তরল প্রবাহের দক্ষতা উন্নত করে;

সাধারণ প্রয়োগ
১. সেমিকন্ডাক্টর উৎপাদন: CVD/ALD গ্যাস পরিস্রাবণ, ডিফিউশন ফার্নেস ফ্লো ডিস্ট্রিবিউশন প্লেট, এচিং নিষ্কাশিত গ্যাসের পরিশোধন, ইত্যাদি।
২. ফটোভোল্টাইক শিল্প: সিলিকন উপাদান গলন পরিস্রাবণ, পিইআরসি সেল কোটিং মাস্ক, ইত্যাদি।
৩. তৃতীয় প্রজন্মের সেমিকন্ডাক্টর (SiC/GaN): ওয়েফার এপিট্যাক্সিয়াল প্রাক-প্রক্রিয়াকরণ।