Porowata ceramika z węglika krzemu SiC

Porowata ceramika z węglika krzemu SiC
Porowata ceramika SiCto wysokowydajny materiał ceramiczny o kontrolowanej strukturze porów, charakteryzujący się ultrawysoką czystością, odpornością na wysokie temperatury, szoki termiczne i obojętnością chemiczną. Jest szeroko stosowany w zaawansowanych dziedzinach, takich jak produkcja półprzewodników, produkcja płytek krzemowych do fotowoltaiki oraz procesy epitaksjalne w półprzewodnikach trzeciej generacji (SiC/GaN).

VET Energy wykorzystuje proszek SiC o wysokiej czystości w połączeniu z zaawansowaną technologią spiekania, aby uzyskać precyzyjną kontrolę wielkości porów (0,05–100 μm), spełniając zróżnicowane wymagania dotyczące filtracji, dyfuzji, katalizy i zarządzania temperaturą. Jest to idealny wybór dla przemysłu półprzewodnikowego i fotowoltaicznego, umożliwiający zwiększenie wydajności, redukcję zanieczyszczeń i optymalizację procesów.

Nasze główne zalety
✅ Ultrawysoka czystość:
zanieczyszczenia metalowe <0,5 ppm, zgodność z normami SEMI, zapobieganie zanieczyszczeniu wafli;
✅ Odporność na wysoką temperaturę (ciągłe użytkowanie w temperaturze 1600℃):
nadaje się do środowisk o wysokiej temperaturze, takich jak CVD, piece dyfuzyjne i wytop krzemu;
✅ Wysoka odporność na szok termiczny:
dostosowuje się do szybkich zmian temperatury, zmniejszając przestoje sprzętu
✅ Obojętność chemiczna (odporność na kwasy, zasady i metale stopione):
odporne na działanie gazów korozyjnych, takich jak HF i Cl₂, o żywotności znacznie przewyższającej żywotność filtrów metalowych;
✅ Kontrolowana struktura porów (0,05-100um):
wspiera stopniową filtrację, zwiększając wydajność przepływu płynu;

Typowe zastosowanie
1. Produkcja półprzewodników: filtracja gazu CVD/ALD, płyty rozdzielające przepływ w piecu dyfuzyjnym, obróbka spalin przez trawienie itp.
2. Przemysł fotowoltaiczny: filtracja i topienie materiałów krzemowych, maski powłokowe ogniw PERC itp.
3. Półprzewodniki trzeciej generacji (SiC/GaN): wstępna obróbka epitaksjalna płytek.