Porøs siliciumcarbid SiC keramik

Porøs siliciumcarbid SiC keramik
Porøs SiC-keramiker et højtydende keramisk materiale med en kontrollerbar porestruktur, der har ultrahøj renhed, høj temperaturbestandighed, termisk stødmodstand og kemisk inertitet. De anvendes i vid udstrækning inden for avancerede områder som halvlederfremstilling, produktion af solcelleplader og epitaksiale processer for tredjegenerations halvledere (SiC/GaN).

VET Energy anvender SiC-pulver med høj renhed kombineret med avanceret sintringsteknologi for at opnå præcis porestørrelseskontrol (0,05-100 μm) og opfylde forskellige applikationskrav til filtrering, diffusion, katalyse og termisk styring. Det er et ideelt valg for halvleder- og solcelleindustrien til at forbedre udbyttet, reducere kontaminering og optimere processer.

Vores kernefordele
✅ Ultrahøj renhed:
metalurenheder <0,5 ppm, overholder SEMI-standarder, hvilket forhindrer waferkontaminering;
✅ Høj temperaturbestandighed (kontinuerlig brug ved 1600 ℃):
egnet til højtemperaturmiljøer såsom CVD, diffusionsovne og siliciumsmeltning;
✅ Stærk modstandsdygtighed over for termisk stød:
tilpasser sig hurtige temperaturændringer, hvilket reducerer udstyrets nedetid
✅ Kemisk inertitet (resistent over for syrer, alkalier og smeltede metaller):
modstandsdygtig over for ætsende gasser såsom HF og Cl₂, med en levetid, der langt overstiger metalfiltres;
✅ Kontrolleret porestruktur (0,05-100µm):
understøtter gradueret filtrering, hvilket forbedrer væskefloweffektiviteten;

Typisk anvendelse
1. Halvlederfremstilling: CVD/ALD-gasfiltrering, diffusionsovns strømningsfordelingsplader, ætsning, udstødningsgasbehandling osv.
2. Fotovoltaisk industri: Filtrering af smeltende siliciummateriale, PERC-cellebelægningsmasker osv.
3. Tredjegenerations halvledere (SiC/GaN): Forbehandling af waferepitaksial.