เซรามิกซิลิคอนคาร์ไบด์พรุน SiC

เซรามิกซิลิคอนคาร์ไบด์พรุน SiC
เซรามิก SiC ที่มีรูพรุนเป็นวัสดุเซรามิกประสิทธิภาพสูงที่มีโครงสร้างรูพรุนที่ควบคุมได้ มีคุณสมบัติเด่นคือความบริสุทธิ์สูงมาก ทนต่ออุณหภูมิสูง ทนต่อการเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิอย่างฉับพลัน และเฉื่อยต่อสารเคมี มีการใช้งานอย่างแพร่หลายในสาขาขั้นสูง เช่น การผลิตเซมิคอนดักเตอร์ การผลิตแผ่นเวเฟอร์ซิลิคอนสำหรับเซลล์แสงอาทิตย์ และกระบวนการเอพิแทกเซียลของเซมิคอนดักเตอร์รุ่นที่สาม (SiC/GaN)

VET Energy ใช้ผง SiC บริสุทธิ์สูงร่วมกับเทคโนโลยีการเผาผนึกขั้นสูงเพื่อให้ได้การควบคุมขนาดรูพรุนที่แม่นยำ (0.05–100 μm) ตอบสนองความต้องการใช้งานที่หลากหลายสำหรับการกรอง การแพร่กระจาย การเร่งปฏิกิริยา และการจัดการความร้อน เหมาะอย่างยิ่งสำหรับอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์และเซลล์แสงอาทิตย์เพื่อเพิ่มอัตราผลผลิต ลดการปนเปื้อน และเพิ่มประสิทธิภาพกระบวนการ

ข้อได้เปรียบหลักของเรา
✅ ความบริสุทธิ์สูงเป็นพิเศษ:
สิ่งเจือปนโลหะ <0.5 ppm เป็นไปตามมาตรฐาน SEMI ป้องกันการปนเปื้อนของเวเฟอร์
✅ ทนต่ออุณหภูมิสูง (ใช้งานต่อเนื่องได้ที่ 1600℃):
เหมาะสำหรับสภาพแวดล้อมที่มีอุณหภูมิสูง เช่น กระบวนการ CVD, เตาหลอมแบบแพร่กระจาย และการถลุงซิลิคอน
✅ ทนทานต่อการเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิอย่างฉับพลันได้ดีเยี่ยม:
ปรับตัวเข้ากับการเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิอย่างรวดเร็ว ช่วยลดเวลาหยุดทำงานของอุปกรณ์
✅ ความเฉื่อยทางเคมี (ทนต่อกรด ด่าง และโลหะหลอมเหลว):
ทนทานต่อก๊าซกัดกร่อน เช่น HF และ Cl₂ และมีอายุการใช้งานยาวนานกว่าตัวกรองโลหะมาก
✅ โครงสร้างรูพรุนที่ควบคุมได้ (0.05-100 ไมโครเมตร):
รองรับการกรองแบบไล่ระดับ ช่วยเพิ่มประสิทธิภาพการไหลของของเหลว

การใช้งานทั่วไป
1. การผลิตเซมิคอนดักเตอร์: การกรองก๊าซ CVD/ALD, แผ่นกระจายการไหลของเตาเผาแบบแพร่กระจาย, การบำบัดก๊าซไอเสียจากการกัดกรด เป็นต้น
2. อุตสาหกรรมเซลล์แสงอาทิตย์: การหลอมและกรองวัสดุซิลิคอน, หน้ากากเคลือบเซลล์ PERC เป็นต้น
3. สารกึ่งตัวนำรุ่นที่สาม (SiC/GaN): การเตรียมพื้นผิวเวเฟอร์ก่อนการปลูกผลึกแบบเอพิแท็กเซียล