Пористая керамика из карбида кремния (SiC)

Пористая керамика из карбида кремния (SiC)
Пористая керамика SiCЭто высокоэффективный керамический материал с контролируемой пористой структурой, отличающийся сверхвысокой чистотой, высокой термостойкостью, устойчивостью к термическим ударам и химической инертностью. Он широко используется в передовых областях, таких как производство полупроводников, производство кремниевых фотоэлектрических пластин и эпитаксиальные процессы полупроводников третьего поколения (SiC/GaN).

Компания VET Energy использует высокочистый порошок SiC в сочетании с передовой технологией спекания для достижения точного контроля размера пор (0,05–100 мкм), что отвечает разнообразным требованиям применения в фильтрации, диффузии, катализе и регулировании тепловых процессов. Это идеальный выбор для полупроводниковой и фотоэлектрической промышленности, позволяющий повысить производительность, снизить загрязнение и оптимизировать процессы.

Наши основные преимущества
✅ Сверхвысокая чистота:
Содержание металлических примесей <0,5 ppm, соответствие стандартам SEMI, предотвращение загрязнения пластин;
✅ Высокая термостойкость (непрерывное использование при температуре 1600℃):
подходит для работы в условиях высоких температур, таких как CVD-процессы, диффузионные печи и плавка кремния;
✅ Высокая термостойкость:
адаптируется к резким изменениям температуры, сокращая время простоя оборудования.
✅ Химическая инертность (устойчивость к кислотам, щелочам и расплавленным металлам):
устойчив к коррозионным газам, таким как HF и Cl₂, и имеет срок службы, значительно превышающий срок службы металлических фильтров;
✅ Контролируемая структура пор (0,05-100 мкм):
поддерживает ступенчатую фильтрацию, повышая эффективность потока жидкости;

Типичное применение
1. Производство полупроводников: фильтрация газов при CVD/ALD, распределение потока в диффузионной печи, обработка отходящих газов при травлении и т. д.
2. Фотоэлектрическая промышленность: фильтрация расплавленных кремниевых материалов, маски для нанесения покрытий на PERC-ячейки и т. д.
3. Полупроводники третьего поколения (SiC/GaN): предварительная эпитаксиальная обработка пластин.