Porėtas silicio karbido SiC keraminis

Porėtas silicio karbido SiC keraminis
Porėta SiC keramikayra aukštos kokybės keraminė medžiaga su kontroliuojama porų struktūra, pasižyminti itin dideliu grynumu, atsparumu aukštai temperatūrai, terminiam smūgiui ir cheminiam inertiškumui. Ji plačiai naudojama pažangiose srityse, tokiose kaip puslaidininkių gamyba, fotovoltinių silicio plokštelių gamyba ir trečios kartos puslaidininkių (SiC/GaN) epitaksiniai procesai.

„VET Energy“ naudoja didelio grynumo SiC miltelius kartu su pažangia sukepinimo technologija, kad pasiektų tikslų porų dydžio valdymą (0,05–100 μm) ir atitiktų įvairius filtravimo, difuzijos, katalizės ir šilumos valdymo reikalavimus. Tai idealus pasirinkimas puslaidininkių ir fotovoltinių įrenginių pramonei, siekiant padidinti išeigą, sumažinti užterštumą ir optimizuoti procesus.

Mūsų pagrindiniai privalumai
✅ Ypač didelis grynumas:
metalo priemaišos <0,5 ppm, atitinka SEMI standartus, užkertančios kelią plokštelių užteršimui;
✅ Atsparumas aukštai temperatūrai (nuolatinis naudojimas esant 1600 ℃):
tinka aukštos temperatūros aplinkai, pavyzdžiui, CVD, difuzinėms krosnims ir silicio lydymui;
✅ Didelis atsparumas terminiam smūgiui:
prisitaiko prie staigių temperatūros pokyčių, sumažindamas įrangos prastovų laiką
✅ Cheminis inertiškumas (atsparus rūgštims, šarmams ir išlydytiems metalams):
atsparūs korozinėms dujoms, tokioms kaip HF ir Cl₂, o jų tarnavimo laikas gerokai viršija metalinių filtrų tarnavimo laiką;
✅ Kontroliuojama porų struktūra (0,05–100 µm):
palaiko laipsnišką filtravimą, pagerindamas skysčių srauto efektyvumą;

Tipinis taikymas
1. Puslaidininkių gamyba: CVD/ALD dujų filtravimas, difuzinės krosnies srauto paskirstymo plokštės, ėsdinimo išmetamųjų dujų apdorojimas ir kt.
2. Fotovoltinė pramonė: silicio medžiagų lydymosi filtravimas, PERC ląstelių dengimo kaukės ir kt.
3. Trečiosios kartos puslaidininkiai (SiC/GaN): plokštelių epitaksinis išankstinis apdorojimas.