Porozna silicijeva karbidna SiC keramika

Porozna silicijeva karbidna SiC keramika
Porozna SiC keramikaje visokozmogljiv keramični material z nadzorovano strukturo por, ki ga odlikujejo ultra visoka čistost, odpornost na visoke temperature, toplotne šoke in kemična inertnost. Široko se uporablja na naprednih področjih, kot so proizvodnja polprevodnikov, proizvodnja fotovoltaičnih silicijevih rezin in epitaksialni postopki polprevodnikov tretje generacije (SiC/GaN).

VET Energy uporablja visoko čist SiC prah v kombinaciji z napredno tehnologijo sintranja za doseganje natančnega nadzora velikosti por (0,05–100 μm), kar izpolnjuje različne zahteve uporabe za filtracijo, difuzijo, katalizo in upravljanje temperature. Je idealna izbira za polprevodniško in fotovoltaično industrijo za povečanje izkoristka, zmanjšanje kontaminacije in optimizacijo procesov.

Naše ključne prednosti
✅ Ultra visoka čistost:
kovinske nečistoče <0,5 ppm, skladne s standardi SEMI, kar preprečuje kontaminacijo rezin;
✅ Odpornost na visoke temperature (neprekinjena uporaba pri 1600℃):
primerno za visokotemperaturna okolja, kot so CVD, difuzijske peči in taljenje silicija;
✅ Močna odpornost na toplotne šoke:
prilagaja se hitrim temperaturnim spremembam, kar skrajša čas izpada opreme
✅ Kemijska inertnost (odporna na kisline, alkalije in staljene kovine):
odporen na korozivne pline, kot sta HF in Cl₂, z življenjsko dobo, ki daleč presega življenjsko dobo kovinskih filtrov;
✅ Nadzorovana struktura por (0,05–100 μm):
podpira stopnjevano filtracijo, kar izboljšuje učinkovitost pretoka tekočine;

Tipična uporaba
1. Proizvodnja polprevodnikov: filtracija plinov CVD/ALD, plošče za porazdelitev pretoka difuzijske peči, obdelava izpušnih plinov z jedkanjem itd.
2. Fotovoltaična industrija: filtracija s taljenjem silicijevega materiala, maske za prevleko celic PERC itd.
3. Polprevodniki tretje generacije (SiC/GaN): Predobdelava epitaksialne rezine.