Huokoinen piikarbidi SiC-keraaminen

Huokoinen piikarbidi SiC-keraaminen
Huokoinen piikarbidikeramiikkaon erittäin suorituskykyinen keraaminen materiaali, jolla on hallittava huokosrakenne, erittäin puhdas, kestää korkeita lämpötiloja, on lämmönkestävä ja kemiallisesti inertti. Sitä käytetään laajalti edistyneillä aloilla, kuten puolijohdevalmistuksessa, aurinkosähköisten piikiekkojen valmistuksessa ja kolmannen sukupolven puolijohde (SiC/GaN) epitaksiaaliprosesseissa.

VET Energy hyödyntää erittäin puhdasta piikarbidijauhetta yhdistettynä edistyneeseen sintraustekniikkaan saavuttaakseen tarkan huokoskoon hallinnan (0,05–100 μm) ja täyttääkseen monipuoliset suodatuksen, diffuusion, katalyysin ja lämmönhallinnan sovellusvaatimukset. Se on ihanteellinen valinta puolijohde- ja aurinkosähköteollisuudelle saantojen parantamiseksi, kontaminaation vähentämiseksi ja prosessien optimoimiseksi.

Keskeiset etumme
✅ Erittäin korkea puhtaus:
metalliepäpuhtaudet <0,5 ppm, SEMI-standardien mukainen, estää kiekkojen kontaminaation;
✅ Korkea lämmönkestävyys (jatkuva käyttö 1600 ℃:ssa):
sopii korkean lämpötilan ympäristöihin, kuten CVD-, diffuusiouuneihin ja piin sulatukseen;
✅ Vahva lämmönkestävyys:
mukautuu nopeisiin lämpötilan muutoksiin, mikä vähentää laitteiden seisokkiaikaa
✅ Kemiallinen inerttiys (kestää happoja, emäksiä ja sulia metalleja):
kestävät syövyttäviä kaasuja, kuten HF:ää ja Cl₂:tä, ja niiden käyttöikä on huomattavasti pidempi kuin metallisuodattimien;
✅ Kontrolloitu huokosrakenne (0,05–100 µm):
tukee porrastettua suodatusta, mikä parantaa nestevirtauksen tehokkuutta;

Tyypillinen sovellus
1. Puolijohteiden valmistus: CVD/ALD-kaasun suodatus, diffuusiouunin virtauksen jakolevyt, syövytyspakokaasujen käsittely jne.
2. Aurinkosähköteollisuus: Piimateriaalin sulatussuodatus, PERC-kennopinnoitusmaskit jne.
3. Kolmannen sukupolven puolijohteet (SiC/GaN): Kiekkojen epitaksiaalinen esikäsittely.