Ceramică poroasă din carbură de siliciu SiC

Ceramică poroasă din carbură de siliciu SiC
Ceramică poroasă SiCeste un material ceramic de înaltă performanță cu o structură a porilor controlabilă, caracterizat prin puritate ultra-înaltă, rezistență la temperaturi ridicate, rezistență la șocuri termice și inerție chimică. Acesta este utilizat pe scară largă în domenii avansate, cum ar fi fabricarea semiconductorilor, producția de napolitane de siliciu fotovoltaice și procesele epitaxiale cu semiconductori de a treia generație (SiC/GaN).

VET Energy utilizează pulbere de SiC de înaltă puritate combinată cu tehnologie avansată de sinterizare pentru a obține un control precis al dimensiunii porilor (0,05–100 μm), îndeplinind diverse cerințe de aplicații pentru filtrare, difuzie, cataliză și management termic. Este o alegere ideală pentru industria semiconductorilor și fotovoltaică pentru a îmbunătăți ratele de randament, a reduce contaminarea și a optimiza procesele.

Avantajele noastre principale
✅ Puritate ultra-înaltă:
Impurități metalice <0,5 ppm, conforme cu standardele SEMI, prevenind contaminarea plachetelor;
✅ Rezistență la temperaturi ridicate (utilizare continuă la 1600℃):
potrivit pentru medii cu temperaturi ridicate, cum ar fi CVD, cuptoare de difuzie și topirea siliciului;
✅ Rezistență puternică la șocuri termice:
se adaptează la schimbările rapide de temperatură, reducând timpul de nefuncționare a echipamentelor
✅ Inerție chimică (rezistent la acizi, alcali și metale topite):
rezistent la gaze corozive precum HF și Cl₂, cu o durată de viață mult mai lungă decât cea a filtrelor metalice;
✅ Structură controlată a porilor (0,05-100 µm):
susține filtrarea gradată, îmbunătățind eficiența curgerii fluidelor;

Aplicație tipică
1. Fabricarea semiconductorilor: filtrare gaz CVD/ALD, plăci de distribuție a fluxului în cuptorul de difuzie, tratarea gazelor de eșapament prin gravare etc.
2. Industria fotovoltaică: Filtrare prin topire a materialelor cu siliciu, măști de acoperire cu celule PERC etc.
3. Semiconductori de a treia generație (SiC/GaN): Pretratare epitaxială a plachetelor.