Сүвэрхэг цахиурын карбид SiC керамик

Сүвэрхэг цахиурын карбид SiC керамик
Сүвэрхэг SiC керамикнь хэт өндөр цэвэршилт, өндөр температурт тэсвэртэй, дулааны цохилтод тэсвэртэй, химийн идэвхгүй байдлыг агуулсан, хяналттай нүх сүвний бүтэцтэй өндөр хүчин чадалтай керамик материал юм. Эдгээрийг хагас дамжуулагч үйлдвэрлэл, фотоволтайк цахиурын вафли үйлдвэрлэл, гурав дахь үеийн хагас дамжуулагч (SiC/GaN) эпитаксиал процесс зэрэг дэвшилтэт салбарт өргөн ашигладаг.

VET Energy нь өндөр цэвэршилттэй SiC нунтагыг дэвшилтэт хайлшруулах технологитой хослуулан ашиглан нүх сүвний хэмжээг нарийн хянах (0.05–100μm), шүүлтүүр, диффуз, катализ, дулааны менежментийн олон төрлийн хэрэглээний шаардлагыг хангадаг. Энэ нь хагас дамжуулагч болон фотоволтайкийн үйлдвэрлэлийн хувьд гарцын хэмжээг нэмэгдүүлэх, бохирдлыг бууруулах, үйл явцыг оновчтой болгоход тохиромжтой сонголт юм.

Бидний гол давуу талууд
✅ Хэт өндөр цэвэршилттэй:
металлын хольц <0.5ppm, SEMI стандартад нийцсэн, вафлийн бохирдлоос урьдчилан сэргийлэх;
✅ Өндөр температурт тэсвэртэй (1600℃-д тасралтгүй ашиглах):
CVD, диффузийн зуух, цахиур хайлуулах зэрэг өндөр температурын орчинд тохиромжтой;
✅ Дулааны цохилтод тэсвэртэй:
температурын огцом өөрчлөлтөд дасан зохицож, тоног төхөөрөмжийн зогсолтыг багасгадаг
✅ Химийн идэвхгүй байдал (хүчил, шүлт болон хайлсан металлд тэсвэртэй):
HF болон Cl₂ зэрэг идэмхий хийд тэсвэртэй, металл шүүлтүүрээс хамаагүй урт ашиглалтын хугацаатай;
✅ Хяналттай нүх сүвний бүтэц (0.05-100мкм):
шингэний урсгалын үр ашгийг сайжруулж, шаталсан шүүлтүүрийг дэмждэг;

Ердийн хэрэглээ
1. Хагас дамжуулагч үйлдвэрлэл: CVD/ALD хийн шүүлтүүр, диффузийн зуухны урсгалын хуваарилах хавтан, яндангийн хийн боловсруулалт гэх мэт.
2. Фотоволтайкийн үйлдвэрлэл: Цахиурын материалыг хайлуулах шүүлтүүр, PERC эсийн бүрээсний маск гэх мэт.
3. Гурав дахь үеийн хагас дамжуулагч (SiC/GaN): Ваферын эпитаксиал урьдчилсан боловсруулалт.