Gorchudd SiC/Swbstrad Graffit wedi'i Gorchuddio/Hambwrdd ar gyfer Lled-ddargludyddion

Gorchudd SiC/Swbstrad/Hambwrdd Graffit wedi'i Orchuddio ar gyfer Lled-ddargludyddion Delwedd Dethol

Disgrifiad Byr:

Mae Susceptor Graffit wedi'i orchuddio â SiC VET Energy ar gyfer Twf Epitacsial yn gynnyrch perfformiad uchel sydd wedi'i gynllunio i ddarparu perfformiad cyson a dibynadwy dros gyfnod estynedig. Mae ganddo wrthwynebiad gwres ac unffurfiaeth thermol da iawn, purdeb uchel, ymwrthedd i erydiad, gan ei wneud yn ateb perffaith ar gyfer cymwysiadau prosesu waffer.

Anfonwch e-bost atom ni Lawrlwytho fel PDF

Manylion Cynnyrch

Tagiau Cynnyrch

Gorchudd SiC/wedi'i orchuddio â susceptor graffit ar gyfer lled-ddargludyddion

YSwbstrad Graffit wedi'i Gorchuddio â SiCyn ddatrysiad hynod wydn ac effeithlon wedi'i gynllunio i fodloni gofynion llym y diwydiant prosesu lled-ddargludyddion. Yn cynnwys haen o burdeb uchelcotio silicon carbid (SiC), mae'r swbstrad hwn yn darparu sefydlogrwydd thermol eithriadol, ymwrthedd i ocsideiddio, a bywyd gwasanaeth hir, gan ei wneud yn ddelfrydol ar gyfer cymwysiadau mewn prosesau MOCVD, cludwyr waffer graffit, ac amgylcheddau tymheredd uchel eraill.

Nodweddion:
· Gwrthiant Sioc Thermol Rhagorol
· Gwrthiant Sioc Corfforol Rhagorol
· Gwrthiant Cemegol Rhagorol
· Purdeb Uchel Iawn
· Argaeledd mewn Siâp Cymhleth
· Gellir ei ddefnyddio o dan Atmosffer Ocsideiddio

Cais:

Nodweddion a Manteision Cynnyrch:

1. Gwrthiant Thermol Uwch:Gyda phurdeb uchelcotio SiC, mae'r swbstrad yn gwrthsefyll tymereddau eithafol, gan sicrhau perfformiad cyson mewn amgylcheddau heriol fel epitacsi a gweithgynhyrchu lled-ddargludyddion.

2. Gwydnwch Gwell:Mae'r cydrannau graffit wedi'u gorchuddio â SiC wedi'u cynllunio i wrthsefyll cyrydiad cemegol ac ocsideiddio, gan gynyddu oes y swbstrad o'i gymharu â swbstradau graffit safonol.

3. Graffit wedi'i Gorchuddio â Gwydr:Strwythur gwydrog unigryw'rcotio SiCyn darparu caledwch arwyneb rhagorol, gan leihau traul a rhwyg yn ystod prosesu tymheredd uchel.

4. Gorchudd SiC Purdeb Uchel:Mae ein swbstrad yn sicrhau halogiad lleiaf posibl mewn prosesau lled-ddargludyddion sensitif, gan gynnig dibynadwyedd ar gyfer diwydiannau sydd angen purdeb deunydd llym.

5. Cais Marchnad Eang:YSusceptor graffit wedi'i orchuddio â SiCmae'r farchnad yn parhau i dyfu wrth i'r galw am gynhyrchion uwch wedi'u gorchuddio â SiC mewn gweithgynhyrchu lled-ddargludyddion gynyddu, gan osod y swbstrad hwn fel chwaraewr allweddol ym marchnad cludwyr wafer graffit a marchnad hambyrddau graffit wedi'u gorchuddio â silicon carbid.

Priodweddau Nodweddiadol Deunydd Graffit Sylfaenol:

Dwysedd Ymddangosiadol:	1.85 g/cm3
Gwrthiant Trydanol:	11 μΩm
Cryfder Plygu:	49 MPa (500kgf/cm2)
Caledwch y Glannau:	58
Lludw:	<5ppm
Dargludedd Thermol:	116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)

CVD SiC薄膜基本物理性能 Priodweddau ffisegol sylfaenol CVD SiCcotio
性质 / Eiddo	典型数值 / Gwerth Nodweddiadol
晶体结构 / Strwythur Grisial	FCC β cyfnod 多晶，主要为 (111) 取向
密度 / Dwysedd	3.21 g/cm³
硬度 / Caledwch	2500 维氏硬度（500g llwyth）
晶粒大小 / Grawn SiZe	2~10μm
纯度 / Purdeb Cemegol	99.99995%
热容 / Cynhwysedd Gwres	640 J·kg^-1·K^-1
升华温度 / Tymheredd Sublimation	2700℃
抗弯强度 / Cryfder Hyblyg	415 MPa RT 4 pwynt
杨氏模量 / Modwlws Young	Plyg 430 Gpa 4pt, 1300℃
导热系数 / Dargludedd Thermol	300W·m^-1·K^-1
热膨胀系数 / Ehangu Thermol(CTE)	4.5×10^-6K^-1

VET Energy yw'r gwneuthurwr go iawn o gynhyrchion graffit a silicon carbid wedi'u haddasu gyda gwahanol orchuddion fel cotio SiC, cotio TaC, cotio carbon gwydrog, cotio carbon pyrolytig, ac ati, a gall gyflenwi amrywiol rannau wedi'u haddasu ar gyfer y diwydiant lled-ddargludyddion a ffotofoltäig.

Daw ein tîm technegol o sefydliadau ymchwil domestig gorau, a gallant ddarparu atebion deunydd mwy proffesiynol i chi.

Rydym yn datblygu prosesau uwch yn barhaus i ddarparu deunyddiau mwy datblygedig, ac rydym wedi datblygu technoleg patent unigryw, a all wneud y bondio rhwng yr haen a'r swbstrad yn dynnach ac yn llai tebygol o ddatgysylltu.

Croeso cynnes i chi ymweld â'n ffatri, gadewch i ni gael trafodaeth bellach!