Caracteristici:
· Rezistență excelentă la șocuri termice
· Rezistență excelentă la șocuri fizice
· Rezistență chimică excelentă
· Puritate Super Înaltă
· Disponibilitate în forme complexe
·Utilizabil în atmosferă oxidantă
Aplicație:
Caracteristici și avantaje ale produsului:
1. Rezistență termică superioară:Cu o puritate ridicatăAcoperire cu SiC, substratul rezistă la temperaturi extreme, asigurând performanțe constante în medii solicitante, cum ar fi epitaxia și fabricarea semiconductorilor.
2. Durabilitate îmbunătățită:Componentele din grafit acoperite cu SiC sunt concepute să reziste coroziunii chimice și oxidării, crescând durata de viață a substratului în comparație cu substraturile standard din grafit.
3. Grafit acoperit cu vitros:Structura vitroasă unică aAcoperire cu SiCoferă o duritate excelentă a suprafeței, reducând la minimum uzura în timpul prelucrării la temperaturi ridicate.
4. Acoperire cu SiC de înaltă puritate:Substratul nostru asigură o contaminare minimă în procesele sensibile ale semiconductorilor, oferind fiabilitate pentru industriile care necesită o puritate strictă a materialelor.
5. Aplicare pe piață largă:Cel/Cea/Cei/CeleSusceptor de grafit acoperit cu SiCPiața continuă să crească pe măsură ce cererea de produse avansate acoperite cu SiC în fabricarea semiconductorilor crește, poziționând acest substrat ca un jucător cheie atât pe piața purtătorilor de napolitane din grafit, cât și pe piața tăvilor de grafit acoperite cu carbură de siliciu.
Proprietăți tipice ale materialului de grafit de bază:
| Densitate aparentă: | 1,85 g/cm³ |
| Rezistență electrică: | 11 μΩm |
| Rezistență la încovoiere: | 49 MPa (500 kgf/cm2) |
| Duritate Shore: | 58 |
| Frasin: | <5 ppm |
| Conductivitate termică: | 116 W/mK (100 kcal/mh-℃) |
| boli cardiovasculare (BCV) SiC薄膜基本物理性能 Proprietățile fizice de bază ale SiC CVDacoperire | |
| 性质 / Proprietate | 典型数值 / Valoare tipică |
| 晶体结构 / Structură de cristal | FCC faza β 多晶,主要为(111)取向 |
| 密度 / Densitate | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Duritate | 2500 维氏硬度(încărcare 500g) |
| 晶粒大小 / Grain Dimensiune | 2~10 μm |
| 纯度 / Puritate chimică | 99,99995% |
| 热容 / Capacitatea termică | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Temperatura de sublimare | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Rezistența la încovoiere | 415 MPa RT în 4 puncte |
| 杨氏模量 / Modulul Young | Îndoire 4pt 430 Gpa, 1300℃ |
| 导热系数 / Conductivitate termică | 300W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Thermal Expansion (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
VET Energy este producătorul real de produse personalizate din grafit și carbură de siliciu cu diferite acoperiri, cum ar fi acoperire SiC, acoperire TaC, acoperire carbon vitros, acoperire carbon pirolitic etc., putând furniza diverse piese personalizate pentru industria semiconductorilor și fotovoltaică.
Echipa noastră tehnică provine din instituții de cercetare autohtone de top și vă poate oferi soluții materiale mai profesionale.
Dezvoltăm continuu procese avansate pentru a oferi materiale tot mai avansate și am elaborat o tehnologie exclusivă brevetată, care poate face ca legătura dintre acoperire și substrat să fie mai strânsă și mai puțin predispusă la desprindere.
Vă invităm călduros să vizitați fabrica noastră, haideți să discutăm mai departe!
-
Suport de grafit MOCVD cu acoperire CVD SiC
-
Tavă epitaxială din carbură de siliciu pentru semiconductori...
-
Susceptor de grafit acoperit cu SiC pentru LED-uri UV profunde
-
Substrat de grafit acoperit cu carbură de siliciu pentru...
-
Suceptorul MOCVD cu acoperire CVD cu carbură de siliciu
-
Substraturi/purtători de grafit cu carbură de siliciu...










