Caratteristiche:
· Eccellente resistenza agli shock termici
· Eccellente resistenza fisica agli urti
· Eccellente resistenza chimica
· Super elevata purezza
· Disponibilità in forma complessa
·Utilizzabile in atmosfera ossidante
Applicazione:
Caratteristiche e vantaggi del prodotto:
1. Resistenza termica superiore:Con un'elevata purezzaRivestimento in SiC, il substrato resiste a temperature estreme, garantendo prestazioni costanti in ambienti difficili come l'epitassia e la fabbricazione di semiconduttori.
2. Maggiore durata:I componenti in grafite rivestiti in SiC sono progettati per resistere alla corrosione chimica e all'ossidazione, aumentando la durata del substrato rispetto ai substrati in grafite standard.
3. Grafite rivestita vetrosa:La struttura vitrea unica delRivestimento in SiCgarantisce un'eccellente durezza superficiale, riducendo al minimo l'usura durante la lavorazione ad alta temperatura.
4. Rivestimento in SiC ad alta purezza:Il nostro substrato garantisce una contaminazione minima nei processi sensibili dei semiconduttori, offrendo affidabilità per i settori che richiedono una rigorosa purezza dei materiali.
5. Ampia applicazione di mercato:ILSuscettore in grafite rivestito in SiCIl mercato continua a crescere con l'aumento della domanda di prodotti rivestiti in SiC avanzati nella produzione di semiconduttori, posizionando questo substrato come un attore chiave sia nel mercato dei supporti per wafer in grafite che in quello dei vassoi in grafite rivestiti in carburo di silicio.
Proprietà tipiche del materiale di base in grafite:
| Densità apparente: | 1,85 g/cm3 |
| Resistività elettrica: | 11 μΩm |
| Resistenza alla flessione: | 49 MPa (500 kgf/cm2) |
| Durezza Shore: | 58 |
| Cenere: | <5 ppm |
| Conduttività termica: | 116 W/mK (100 kcal/mhr-℃) |
| malattie cardiovascolari SiC薄膜基本物理性能 Proprietà fisiche di base del SiC CVDrivestimento | |
| 性质 / Proprietà | 典型数值 / Valore tipico |
| 晶体结构 / Struttura cristallina | Fase β FCC 多晶,主要为(111)取向 |
| 密度 / Densità | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Durezza | 2500 tonnellate di carico (carico da 500 g) |
| 晶粒大小 / Granulometria | 2~10μm |
| 纯度 / Purezza chimica | 99,99995% |
| 热容 / Capacità termica | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Temperatura di sublimazione | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Resistenza alla flessione | 415 MPa RT 4 punti |
| 杨氏模量 / Modulo di Young | 430 Gpa 4pt curva, 1300℃ |
| 导热系数 / Conducibilità termica | 300W·m-1·K-1 |
| Dilatazione termica / Dilatazione termica (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
VET Energy è il vero produttore di prodotti personalizzati in grafite e carburo di silicio con diversi rivestimenti come rivestimento in SiC, rivestimento in TaC, rivestimento in carbonio vetroso, rivestimento in carbonio pirolitico, ecc., in grado di fornire vari componenti personalizzati per l'industria dei semiconduttori e del fotovoltaico.
Il nostro team tecnico proviene dai migliori istituti di ricerca nazionali ed è in grado di fornirvi le soluzioni più professionali in materia di materiali.
Sviluppiamo costantemente processi avanzati per fornire materiali ancora più avanzati e abbiamo elaborato una tecnologia brevettata esclusiva in grado di rendere l'adesione tra il rivestimento e il substrato più salda e meno soggetta a distacco.
Vi invitiamo calorosamente a visitare la nostra fabbrica, per approfondire la questione!
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