SiCコーティング/コーティンググラファイト基板/半導体用トレイ

簡単な説明:

VET Energy社のエピタキシャル成長用SiCコーティンググラファイトサセプターは、長期にわたり安定した信頼性の高い性能を発揮するように設計された高性能製品です。優れた耐熱性と熱均一性、高純度、耐浸食性を備え、ウェーハ処理アプリケーションに最適なソリューションです。


製品詳細

製品タグ

半導体用SiCコーティング/グラファイトサセプターコーティング
 
そのSiCコーティンググラファイト基板半導体製造業界の厳しい要求を満たすように設計された、耐久性と効率性に優れたソリューションです。高純度のシリコンカーバイド(SiC)コーティングこの基板は、優れた熱安定性、耐酸化性、および長い耐用年数を実現しており、MOCVD プロセス、グラファイト ウェーハ キャリア、その他の高温環境での用途に最適です。

 特徴: 
· 優れた耐熱衝撃性
· 優れた物理的耐衝撃性
· 優れた耐薬品性
· 超高純度
· 複雑な形状でも利用可能
·酸化雰囲気下でも使用可能

応用:

3

製品の特徴と利点:

1. 優れた耐熱性:高純度のSiCコーティング基板は極端な温度に耐え、エピタキシーや半導体製造などの厳しい環境でも一貫したパフォーマンスを保証します。

2. 耐久性の向上:SiC コーティングされたグラファイト部品は化学腐食や酸化に耐えるように設計されており、標準的なグラファイト基板に比べて基板の寿命が長くなります。

3. ガラス質コーティンググラファイト:ユニークなガラス質構造SiCコーティング優れた表面硬度を提供し、高温処理中の摩耗を最小限に抑えます。

4. 高純度SiCコーティング:当社の基板は、繊細な半導体プロセスにおける汚染を最小限に抑え、厳格な材料純度を要求する業界に信頼性を提供します。

5. 幅広い市場への応用:そのSiCコーティンググラファイトサセプター半導体製造における高度な SiC コーティング製品の需要が増加するにつれて市場は成長を続け、この基板はグラファイト ウェーハ キャリア市場とシリコン カーバイド コーティング グラファイト トレイ市場の両方で重要な役割を担うことになります。

ベースグラファイト材料の代表的な特性:

見かけ密度: 1.85 g/cm3
電気抵抗率: 11μΩm
曲げ強度: 49 MPa(500kgf/cm2)
ショア硬度: 58
灰: 5ppm未満
熱伝導率: 116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)

 

CVD SiC膜の基本物理性能

CVD SiCの基本的な物理的特性コーティング

性质 / プロパティ

代表値 / 代表値

結晶構造 / 結晶構造

FCC β 相多結晶、主に(111)取方向

密度 / 密度

3.21 g/cm³

硬さ・硬さ

2500维度硬度(500g荷重)

結晶粒大 / 粒サイズ

2~10μm

品質 / 化学純度

99.99995%

熱容量 / 熱容量

640 J·kg-1·K-1

昇华温度 / 昇華温度

2700℃

耐弯强度 / 曲げ強さ

415 MPa RT 4点

杨氏模量 / ヤング率

430 Gpa 4点曲げ、1300℃

导熱系数 / 熱伝導率

300W·m-1·K-1

熱膨張胀系数 / 熱膨張(CTE)

4.5×10-6K-1

1

2

 

 

VET Energy は、SiC コーティング、TaC コーティング、ガラス状炭素コーティング、熱分解炭素コーティングなどのさまざまなコーティングを施したカスタマイズされたグラファイトおよび炭化ケイ素製品の実際の製造業者であり、半導体および太陽光発電業界向けのさまざまなカスタマイズされた部品を供給できます。

当社の技術チームは国内トップクラスの研究機関出身者で構成されており、より専門的な材料ソリューションを提供できます。

当社は、より高度な材料を提供するために高度なプロセスを継続的に開発しており、コーティングと基材の結合をより強固にし、剥離しにくくする独自の特許技術を開発しました。

弊社の工場へのご訪問を心より歓迎いたします。ぜひ、さらなる話し合いをさせてください。

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生设备

 

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