Características:
• Excelente resistencia al choque térmico
• Excelente resistencia a los golpes físicos
• Excelente resistencia química
· Pureza súper alta
• Disponibilidad en formas complejas
• Utilizable en atmósfera oxidante
Solicitud:
Características y ventajas del producto:
1. Resistencia térmica superior:Con una alta purezarecubrimiento de SiCEl sustrato soporta temperaturas extremas, lo que garantiza un rendimiento constante en entornos exigentes como la epitaxia y la fabricación de semiconductores.
2. Mayor durabilidad:Los componentes de grafito recubiertos de SiC están diseñados para resistir la corrosión química y la oxidación, lo que aumenta la vida útil del sustrato en comparación con los sustratos de grafito estándar.
3. Grafito recubierto de humor vítreo:La estructura vítrea única delrecubrimiento de SiCProporciona una excelente dureza superficial, minimizando el desgaste durante el procesamiento a altas temperaturas.
4. Recubrimiento de SiC de alta pureza:Nuestro sustrato garantiza una contaminación mínima en procesos de semiconductores sensibles, ofreciendo fiabilidad para las industrias que requieren una pureza de material rigurosa.
5. Amplia aplicación en el mercado:Elsusceptor de grafito recubierto de SiCEl mercado continúa creciendo a medida que aumenta la demanda de productos avanzados recubiertos de SiC en la fabricación de semiconductores, lo que posiciona a este sustrato como un actor clave tanto en el mercado de soportes de obleas de grafito como en el mercado de bandejas de grafito recubiertas de carburo de silicio.
Propiedades típicas del material base de grafito:
| Densidad aparente: | 1,85 g/cm³ |
| Resistividad eléctrica: | 11 μΩm |
| Resistencia a la flexión: | 49 MPa (500 kgf/cm2) |
| Dureza Shore: | 58 |
| Ceniza: | <5 ppm |
| Conductividad térmica: | 116 W/mK (100 kcal/mhr-℃) |
| Enfermedad cardiovascular SiC薄膜基本物理性能 Propiedades físicas básicas del SiC CVDrevestimiento | |
| 性质 / Propiedad | 典型数值 / Valor típico |
| 晶体结构 / Estructura cristalina | Fase β de la FCC 多晶,主要为(111)取向 |
| 密度 / Densidad | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Dureza | 2500 libras (carga de 500 g) |
| 晶粒大小 / Tamaño del grano | 2~10 μm |
| 纯度 / Pureza química | 99,99995% |
| 热容 / Capacidad calorífica | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Temperatura de sublimación | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Resistencia a la flexión | 415 MPa RT 4 puntos |
| 杨氏模量 / Módulo de Young | 430 GPa, codo de 4 puntos, 1300 ℃ |
| 导热系数 / Conductividad térmica | 300 W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Expansión térmica (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
VET Energy es un fabricante de productos personalizados de grafito y carburo de silicio con diferentes recubrimientos, como recubrimiento de SiC, recubrimiento de TaC, recubrimiento de carbono vítreo, recubrimiento de carbono pirolítico, etc., y puede suministrar diversas piezas personalizadas para la industria de semiconductores y fotovoltaica.
Nuestro equipo técnico proviene de las mejores instituciones de investigación nacionales y puede brindarle soluciones de materiales más profesionales.
Desarrollamos continuamente procesos avanzados para ofrecer materiales más sofisticados y hemos desarrollado una tecnología patentada exclusiva que permite una unión más firme entre el recubrimiento y el sustrato, reduciendo la probabilidad de desprendimiento.
¡Les invitamos cordialmente a visitar nuestra fábrica! ¡Conversemos pronto!
-
Sustratos/soportes de grafito con carburo de silicio...
-
Susceptor de grafito recubierto de SiC para LED UV profundo
-
Soporte de grafito MOCVD con recubrimiento de SiC CVD
-
Susceptor de recubrimiento de carburo de silicio CVD MOCVD
-
Bandeja de láminas epitaxiales de carburo de silicio para semiconductores...
-
Sustrato de grafito recubierto de carburo de silicio para S...









